Identyfikacja pieca do monokrystalizacji SiC jako obiektu sterowania

• Autorzy: Orzyłowski, M.

Warianty tytułu

EN

Identyfication of furnace for SiC monocrystalization as controlled system

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule opisano identyfikację dwusekcyjnego wysokotemperaturowego układu grzejnego stanowiska do monokrystalizacji SiC jako obiektu sterowania temperaturą. Zastosowano niestandardowe podejście do eksperymentu identyfikacyjnego, polegające na badaniu odpowiedzi czasowych zarówno w układzie otwartym jak i z zamkniętymi pętlami sprzężenia zwrotnego. Opisano heurystyczne metody wyznaczania parametrów statycznego i dynamicznego modelu pieca.

EN

In the paper is described the problem of identification of two-section high-temperature heating system for SiC monocrystallization as temperature controlled system. For this purpose the non-standard method of identification experiment based on analysis of the dynamic responses of the system with open and closed feedback loops is used. The paper describes heuristic methods of static and dynamic model parameters determination also.

Słowa kluczowe

PL

piec; model; sterowanie; identyfikacja

EN

furnace; model; control; identification

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 7
• Strony: 185-193
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., tab., wyk.

Twórcy

autor

Orzyłowski, M.

• Instytut Tele- i Radiotechniczny, Warszawa

Bibliografia

• [1] Kościewicz K., Tymicki E, Grasza K.: SiC - Materiał dla mikroelektroniki. Elektronika, Wydawnictwo Sigma-NOT, nr 9/2006, ss. 22-27, ISSN 0033-2089.
• [2] Łobodziński W., Orzyłowski M., Rudolf Z., Orzechowski Z., Kozłowski J., Wiechowski J.: Stanowisko do monokrystalizacji SiC. Elektronika, Wydawnictwo SIGMA-NOT, nr 12/2008, ss. 49-54, ISBN 0033-2089.
• [3] OrzyłowskiM., Łobodziński W.: System dwupętlowej programowej regulacji temperatury stanowiska do monokrystalizacji SiC. Elektronika, Wydawnictwo SIGMA-NOT, nr 3/2008, ss. 95-99, ISBN 0033-2089.
• [4] Hering M.: Termokinetyka dla inżynierów. WNT, Warszawa 1980.
• [5] Orzyłowski M., Sankowski D., Łobodziński W.: Metody pomiarów parametrów dynamicznych obiektów elektrotermicznych. Metrologia i Systemy Pomiarowe, nr 1, ss. 53-67, 1996, Warszawa.
• [6] Orzyłowski M., Rudolf Z.: Parametry technologiczne stanowiska do monokrystalizacji SiC. Elektronika, Wydawnictwo SIGMA-NOT, nr 7/2009, ss. 150-154, ISBN 0033-2089.
• [7] Grasza K., Tymicki E., Orzyłowski M.: Badania walidacyjne stanowiska do monokrystalizacji SiC. Elektronika, Wydawnictwo SIGMA-NOT, nr 7/2010, ISBN 0033-2089.