Badania optyczne politypów 6H-SiC oraz 15R-SiC poddanych wielokrotnej implantacji jonami glinu w podwyższonej temperaturze

• Autorzy: Kulik, M. , Żuk, J. , Rzodkiewicz, W. , Pyszniak, K. , Droździel, A. , Turek, M. , Prucnal, S. , Sochacki, M. , Szmidt, J.

Warianty tytułu

EN

Optical investigations of 6H-SiC and 15R-SiC polytypes subjected to multiple aluminum ion implantation at elevated temperature

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Praca przedstawia wyniki badań kryształu 6H-SiC zawierającego inkluzję politypu 15R-SiC zaimplantowanego jonami Al⁺. Zastosowano techniki analizy optycznej: elipsometrii spektroskopowej oraz mikro-ramanowskiego rozpraszania światła. Wielokrotną implantację wykonano przy użyciu implantatora UNIMAS ze zmodyfikowanym źródłem jonów przy pięciu różnych energiach i dawkach. Temperatura próbki w czasie implantacji wynosiła 500°C. Badania metodami mikro-Ramana i elipsometrii spektroskopowej wykazały powstawanie obszarów amorficznych po procesie implantacji w warstwie przypowierzchniowej w przypadku obu politypów SiC.

EN

The paper presents results of spectroscopic ellipsometry and micro-Raman scattering studies of Al⁺ ion-implanted 6H-SiC containing 15R-SiC polytype inclusion. Multiple implantation with 5 different Al⁺ energies and fluences was performed using the UNIMAS ion implanter with a modified ion source. The sample temperature was maintained at 500°C during the implantation process. Micro-Raman scattering and spectroscopic ellipsometry investigations indicate the formation of post-implantation amorphous regions in a subsurface region of both SiC polytypes.

Słowa kluczowe

PL

węglik krzemu; implantacja jonowa; elipsometria spektroskopowa; spektrometria mikro-ramanowska

EN

silicon carbide; ion omplantation; spectroscopic elipsometry; micro-Raman spectrometry

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 7-8
• Strony: 15-18
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., wykr.

Twórcy

autor

Kulik, M.

autor

Żuk, J.

autor

Rzodkiewicz, W.

autor

Pyszniak, K.

autor

Droździel, A.

autor

Turek, M.

autor

Prucnal, S.

autor

Sochacki, M.

autor

Szmidt, J.

• Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej, Instytut Fizyki , Lublin

Bibliografia

• [1] Madelung O.: Data in Science and Technology. Semiconductors Group IV Elements and III-V Compounds. Springer-Verlag, Berlin, 1991.
• [2] Wesch W.: Nucl. Instr. Meth. B116 (1996) pp. 305-321.
• [3] Gubanov V. A., Fong C. Y.: Appl. Phys. Lett. 75 (1999) pp.88-90.
• [4] Herra V., Panknin D. and Skorupa W.: Appl. Surf. Sci. 184, (2001) pp. 307-316.
• [5] Ziegler J. F., Biersack J. P., Ziegler M. D.: SRIM The Stopping and Range of lons in Matter SRIM Co, Chester, 2008.
• [6] Mączka D., Latuszyński A., Kuduk R.: Nucl. Instr. Meth. B21 (1987) pp. 521-522.
• [7] Weingartner R., Wellmann P. J., Bickermann M., Hofmann D., Straubinger T. L.: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) pp. 70-72.
• [8] Zallen R.: Fizyka ciał amorficznych, PWN, Warszawa 1994.
• [9] Hayes W., Loudon R.: Scattering of Light by Crystals. Wiley, New York, 1978.
• [10] Martin E., Chafai M., Anton R., Torres A., Jimenez J.: Mat. Sci Eng. B 80 (2001) pp. 366-369.
• [11] Perez-Rodriguez A., Pacaud Y., Calvo-Barrio L., Serre C., Skorupa W., Morante J. R.: J. Electron. Mater. 25 (1996) pp. 541-541