Modelowanie prądu pompowania ładunku w dwubramkowych strukturach MOS z bardzo cienką warstwą aktywną

• Autorzy: Łukasiak, L. , Tomaszewski, D. , Sawicka, A. , Głuszko, G. , Iwanowicz, M. , Jakubowski, A.

Warianty tytułu

EN

Modeling charge-pumping current in double-gate MOS structures with very thin active region

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przeanalizowano wpływ grubości warstwy aktywnej oraz tlenku bramkowego na prąd pompowania ładunku w dwubramkowych strukturach MOS z bardzo cienką warstwą aktywną. Sprawdzono także, czy istnieje możliwość oddzielnego badania każdej powierzchni granicznej za pomocą metody pompowania ładunku.

EN

The influence of body and gate-oxide thickness on charge pumping current in double-gate MOS structures is analyzed to find out whether it is possible to perform charge-pumping studies of each interface separately.

Słowa kluczowe

PL

struktura MOS dwubramkowa; pompowanie ładunku; pułapki powierzchniowe

EN

charge pumpipng; double-gate MOS structure; interface traps

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 9
• Strony: 92-95
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Łukasiak, L.

autor

Tomaszewski, D.

autor

Sawicka, A.

autor

Głuszko, G.

autor

Iwanowicz, M.

autor

Jakubowski, A.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikro- i Optoelektroniki

Bibliografia

• [1] Dennard R. H., Gaensslen F. H., Yu H. N., Rideout V. L., Bassous E., LeBlanc A. R.: Design of ion-implanted MOSFETs with very smali physical dimensions. IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 9, pp. 256-268, 1974.
• [2] Brews J. R., Fichtner W., Nicollian E. H., Sze S. N.: Generalized guide for MOSFET miniaturization. IEEE Electron Dev. Lett., vol. 1,pp. 2-5, 1980.
• [3] International Technology Roadmap for Semiconductors, Semi-conductor IndustryAssociation, 2006.
• [4] Elliot A. B.: The use of charge pumping currents to measure surface state densities in MOS transistors. Solid-State Electron., vol. 19, pp. 241-247, 1976.
• [5] Ouisse T., Cristoloveanu S., Elewa T., Haddara H., Borel G., Ioannou D. E.: Adaptation of the charge pumping technique to gated p-i-n diodes fabricated on silicon on insulator. IEEE Trans. Electron Dev., vol. ED-38, p.1432-1444, 1991.
• [6] Tsutsui G., Saitoh M., Hiramoto T.: Experimental study on superior mobility in (110)-oriented UTB SOI pMOSFETs. IEEE Electron Dev. Lett., vol. 26, pp. 836-838, 2005.
• [7] Clingiroglu U.: A generał model for interface-trap charge-pum-ping effects in MOS devices. Solid-State Electron., vol. 28, pp. 1127-1141, 1985.
• [8] Łukasiak L.: Modeling charge pumping in SOI. Electron Technology, vol. 32, pp. 133-136, 1998.
• [9] ATLAS User's Manual, Silvaco Inc. 2006.