Zasilacz dużej mocy do wielkogabarytowej wyrzutni magnetronowej

• Autorzy: Marszałek, K. , Dziadecki, A. , Grzegorski, J. , Skotniczny, J.

Warianty tytułu

EN

High power supply for large magnetron gun

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono konstrukcję zasilacza dużej mocy do procesów jonowego rozpylania magnetronowego o regulowanych parametrach wyjściowych: napięcie oraz prąd. Cechą charakterystyczną zasilacza jest moduł sterownika tyrystorowego sterowanego napięciowym sygnałem zadającym, otrzymywanym automatycznie z nadrzędnego układu regulacji (komputer PC, sterownik programowalny PLC, dowolny układ mikroprocesorowy) lub ręcznie z potencjometru zadającego. Zasilacz jest odporny na wyładowania łukowe występujące w plazmie w procesie formowania katody (np. podczas procesów reaktywnych), jak i w awaryjnych stanach pracy.

EN

A high power supply with controlled output parameters: UH - output voltage and I - output current for magnetron sputtering processes is presented in this paper. The most characteristic feature is a tyristor module controlled by voltage signal from higher level control unit (personal computer PC, programmable controller PLC or any other microprocessor controller) or manually from variable resistor. The main feature of this power supply is to prevent any arc discharge occurring during the sputtering process.

Słowa kluczowe

PL

stałoprądowy zasilacz dużej mocy; rozpylanie magnetronowe

EN

dc high power supply; magnetron sputtering

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 1
• Strony: 41-42
• Opis fizyczny: Bibliogr. 15 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Marszałek, K.

autor

Dziadecki, A.

autor

Grzegorski, J.

autor

Skotniczny, J.

• Akademia Górniczo - Hutnicza, Wydział Elektroniki

Bibliografia

• [1] Schneider J. M., Rohde S. L., Sproul W. D., Matthews A.: Recent Developments in Plasma Assisted Physical Vapour Deposition. Journal of Physics D, vol. 33, 2000, p. 173.
• [2] Byung-Hwan Jeong, Jun-Seok Cho, Hyung-Soo Mok, Gyu-Ha Choe: A novel pulse power supply for magnetron using high voltage capacitor embedded high frequency transformer. Proc. of Applied Power Electr. Conf., vol. 3, 2004, pp. 1819-1824.
• [3] Rossnagel S. M., Hopwood J.: Magnetron sputter deposition with high levels of metal ionization. Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 3285.
• [4] Yonesu A., Takemoto H., Hirata M., Yamashiro Y.: Development of a cylindrical DC magnetron sputtering apparatus assisted by microwave plasma. Vacuum 66, 2002, p. 275.
• [5] Kouznetsov V. i in.: Novel pulsed magnetron sputter technique utilizing very high target power densities. Surface and Coatings Technology 122, 1999, p. 290.
• [6] Wang Z., Cohen SA: Hollow cathode magnetron. J. Vac. Sci. Technol. A, vol.17, 1999, p. 77.
• [7] Dziadecki A., Grzegorski J., Marszałek K., Skotniczny J., Żegleń T., Patent PL 193432, 2006.
• [8] Dziadecki A., Grzegorski J., Marszałek K., Skotniczny J., Żegleń T., Patent PL 193433, 2006
• [9] Dziadecki A., Grzegorski J., Marszałek K., Skotniczny J., Żegleń T., Patent PL 193434, 2006.
• [10] Dziadecki A., Grzegorski J., Marszałek K., Skotniczny J., Żegleń T., Patent PL 193435, 2006.
• [11] Dziadecki A., Grzegorski J., Marszałek K., Skotniczny J., Żegleń T., Patent PL 193436, 2006.
• [12] Marszałek K., Kamola Z., Zoń A.: Wsadowy system do metalizacji próżniowej. Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej, Elektronika, vol. 153, 2005, ss. 133-136.
• [13] Marszałek K.: Wsadowa linia próżniowa dla przemysłu motoryzacyjnego z wielkogabarytowymi źródłami magnetronowymi o mocy 40 kW. Elektronika, vol 8/9, 2001, ss. 104 – 105.
• [14] Marszałek K., Dziadecki A., Żegleń T.: Mikrokomputerowy system sterowani przemysłową linią próżniową do nanoszenia cienkich warstw metodą jonowego rozpylania magnetronowego. PAK, vol. 3, 2002, ss. 5 - 8.
• [15] Marszałek K., Leja E.: Badania charakterystyk przemysłowego magnetronu liniowego o mocy 50 kW. Mat. Konferencji Technologia Elektronowa ELTE97, 1997, ss. 384-387.