Badania nad źródłami domieszek o dużej zawartości fosforu, stosowanymi w technologii wytwarzania krzemowych ogniw słonecznych

• Autorzy: Wróbel, E. , Waczyński, K. , Filipowski, W.

Warianty tytułu

EN

Investigation on high doped phosphorus sources in silicon solar cells technology

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono fragment badań prowadzonych nad modyfikacją procesów wytwarzania ogniw słonecznych. Wytwarzanie warstwy emiterowej w procesie domieszkowania dyfuzyjnego w stosunkowo krótkim czasie jest istotne w produkcji masowej. Proces ten wymaga nowych źródeł, zawierających wysoką koncentrację atomów fosforu (jako związek zawierający atomy fosforu wykorzystuje się kwas ortofosforowy). Jako płytki podłożowe stosuje się płytki krzemowe typu p. Artykuł prezentuje metodę domieszkowania krzemu z wykorzystaniem rozwirowywanych źródeł fosforowych

EN

The paper presents a fragment of investigation studies carried out on the modification of silicon solar cell production technology. Doping of the emitter layer is the basic procedure in the technology of solar cell production. Today the research studies have been concentrated on short time diffusion processes, what is very important in mass production. This process requires a new type of dopant sources, which contains high concentration of phosphorus atoms. Silicon wafers of the p-type conductivity have applied as substrates in the investigation studies. A solution prepared on the basis of orthophosphoric acid have been used as donor source. This article have been presented the method of doping silicon with phosphorus sources (spin-on method).

Słowa kluczowe

PL

krzemowe ogniwa słoneczne; domieszki fosforu

EN

silicon solar cells; phosphorus sources

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 1
• Strony: 16-17
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Wróbel, E.

autor

Waczyński, K.

autor

Filipowski, W.

• Politechnika Śląska, Instytut Elektroniki, Gliwice

Bibliografia

• [1] Green M. A.: Crystalline Silicon Solar Cells. University of New South Wales, Sydney, 2001.
• [2] Waczyński K., Krompiec S., Matysek-Majewska D.: Badania nad zastosowaniem szkliw domieszkowanych borem i fosforem w technologii półprzewodników krzemowych. Zeszyty Naukowe Politechniki Śląskiej, zeszyt 129, Gliwice 1993.
• [3] Runyan W. R., Shaffner T. J.: Semiconductor Measurements and Instrumentation. McGraw-Hill, New York 1998.
• [4] Praca zbiorowa, Procesy technologiczne w elektronice półprzewodnikowej. WNT, Warszawa, 1980.
• [5] Wróbel E.: Analiza procesów dyfuzji planarnej w półprzewodnikach z wybranych źródeł domieszek. Praca Doktorska, Politechnika Śląska, Gliwice, 2001.