Automatyczny pomiar pojemności złączowej półprzewodnikowego złącza p-n

• Autorzy: Brzozowski, I. , Wawszczak, S. , Bratek, P. , Kos, A.

Warianty tytułu

EN

Automatic measuring system for junction capacitance of semiconductor p-n junction

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono automatyczne stanowisko pomiarowe pozwalające na pomiary pojemności złączowej półprzewodnikowych złącz p-n. System pomiarowy został zbudowany w oparciu o standardowe przyrządy laboratoryjne uzupełnione o dedykowany generator pomiarowy, którego projekt i realizacja została opisana. W celu konfiguracji systemu, sterowania pomiarami i archiwizacji danych napisano specjalną aplikację w środowisku LabVIEW.

EN

The paper presents automatic measuring system allowing to measure of junction capacitance of semiconductor p-n junction. The system was build based on standard laboratory equipment supplemented with dedicated measuring generator, which design and realization was described. For the system configuration, controlling of measurements and data acquisition and saving special application in LabVIEW environment was made.

Słowa kluczowe

PL

pojemność złącza p-n; system pomiarowy; generator pomiarowy; LabVIEW

EN

p-n junction capacitance; measuring system; measuring generator; LabVIEW

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2012
• Tom: Vol. 53, nr 11
• Strony: 97-101
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., il., wykr., rys.

Twórcy

autor

Brzozowski, I.

autor

Wawszczak, S.

autor

Bratek, P.

autor

Kos, A.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Katedra Elektroniki, Kraków

Bibliografia

• [1] Gołda A., Kos. A.: Temperature influence on energy losses in MOSFET capacitors, Microelectronics Reliability, vol. 44, 2004, ss. 1115-1121.
• [2] Dusza J., Gortat G., Leśniewski A.: Podstawy Miernictwa, Warszawa 1998.
• [3] Praktyczny Elektronik, Marzec 2002, ss.15-19.
• [4] National Instruments, www.ni.com