Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
2010 | Vol. 18, No. 3 | 236-240
Tytuł artykułu

320x256 HgCdTe IR FPA with a built-in shortwave cut-off filter

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Warianty tytułu
Konferencja
IR and THz Electronics : from Materials to Devices of E-MRS 2009 ; (15-18.09.2009, Warsaw ; Poland)
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
A photovoltaic detector design based on the graded band gap HgCdTe MBE structure with high conductivity layer (HCL) at interface, which provides photodiodes series resistance and a shortwave cut.off filter is developed. The optimal HCL parameters giving high quantum efficiency and minimal noise equivalent temperature difference were determined by calculations and experimentally confirmed. The hybrid 320x256 IR FPA operating in 8-12 μm spectral range was fabricated. The threshold power responsivity and minimal noise equivalent temperature difference values at wavelength maximum were 1.02x10⁻⁷ W/cm², 4.1x10⁸ V/W and 27 mK, respectively.
Słowa kluczowe
Wydawca

Rocznik
Strony
236-240
Opis fizyczny
Bibliogr. 10 poz., il., wykr.
Twórcy
  • A. V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, SB RAS, 13 Lavrentiev Ave., 630090 Novosibirsk, Russia, vas@thermo.isp.nsc.ru
Bibliografia
  • [1] V. V. Vasilyev and A. V. Predein: Influence of graded p-P heterojunction's potential barrier on characteristics of three-dimensional HgCdTe photodiode. Proc. SPIE 5834, 83-91, 2005.
  • [2] S. A. Dvoretsky, V. S. Varavin, N. N. Mikhailov, Yu. G. Sidorov, V. V. Vasiliev, V. N. Ovsyuk, M. S. Nikitin, I. Yu. Lartsev and A. L. Aseev: MWIR and LWIR detectors based on HgCdTe/CdZnTe/GaAs heterostructures. Proc. SPIE 5964, 75-87, 2005.
  • [3] V. S. Varavin, V. V. Vasil'ev, T. I. Zakhar'yash, S. A. Dvoretski, N. N. Mikhailov, V. N. Ovsyuk, V. M. Osadchi, Yu. G. Sidorov and A. O. Suslyakov: Photodiodes with low series resistance based on varizonal epitaxial layers of CdxHg1-xTe. J. Opt. Technol. 66, 1068, 1999.
  • [4] V. V. Vasilyev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, A. O. Suslyakov, Yu. G. Sidorov and A. L. Aseev: Photodiode detector of infrared radiation. Patent Russia Nr 2310949, 2007.
  • [5] V. V. Vasilyev, V. M. Osadchii, A. O. Suslyakov and S. A. Dvoretsky: Influence of varigap layer on effective charge carries in photoresistors based on CdHgTe. Fiz. Tekh. Poluprovodn. 33, 293-296, 1999. (in Russian)
  • [6] A. Rogalski: Infrared Detectors, Gordon and Breach Science Publ., Amsterdam, 2000.
  • [7] A. Rogalski: The third generation of HgCdTe based IR FPAs. Prikl. Fizika 4, 54-64, 2003. (in Russian)
  • [8] W. W. Anderson: Absorption constant of Pb1-xSnxTe and Hg1-xCdxTe alloys. Infrared Phys. 20, 363-372, 1980.
  • [9] V. V. Vasilyev, S. A. Dvoretsky and D. G. Esaev: IR FPA on basis of CdHgTe grown by molecar beam epitaxy. Avtometriya 3, 4-8, 2001. (in Russian)
  • [10] V. V. Vasilyev, D. G. Esaev and A. G. Klimenko: Focal plane arrays based on HgCdTe epitaxial layers MBE-grown on GaAs substrates. Proc. SPIE 3061, 956, 1997.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWAD-0018-0029
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.