Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
2010 | Vol. 51, nr 10 | 90-92
Tytuł artykułu

Problemy epitaksji antymonków grupy III-V

Warianty tytułu
EN
Epitaxial problems of Sb based III-V compounds
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
W pracy przedstawiono wyniki dotyczące optymalizacji technologii epitaksji z wiązek molekularnych związków antymonkowych oraz supersieci drugiego rodzaju. Kluczowym w procesie wzrostu warstw GaSb były dwa etapy: wygrzewanie podłoża poprzedzające wzrost oraz studzenie struktury po zakończonym wzroście. Istotnym problemem okazało się zanieczyszczanie warstw antymonkowych arsenem. W wyniku badań wpływu obszaru międzyfazowego na jakość SL II rodzaju otrzymano krzywą kalibracyjną, która pozwala uzyskać SL 10 ML InAs/10 ML GaSb dopasowaną sieciowo do podłoża GaSb.
EN
We present the results of the growth optimization of both GaSb and related compounds and type-II superlattices grown by molecular beam epitaxy. The key issues in the epitaxial growth of GaSb layers were an annealing of a substrate before growth and post-growth cooling of a structure. A crucial problem of GaSb layer growth is its arsenic contamination. We have investigated the influence of interface type on the ąuality of type-II SL. We received a calibration curve, which allows to obtain the lattice matched of 10 ml InAs/10 ML GaSb superlattice.
Słowa kluczowe
Wydawca

Rocznik
Strony
90-92
Opis fizyczny
Bibliogr. 5 poz., wykr.
Twórcy
autor
autor
  • Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa
Bibliografia
  • [1] Nouaoura M., F.W.O.Da Silva, N. Bertru, M. Rouanet, A.Tahraoui, W. Oueinl, J. Bonnet, L. Lassabatere: Modification of GaSb(100) surface induced by annealing under vacuum and under Sb4 and As4 flux. J.Crystal Growth 172 (1997) 37-43.
  • [2] Rouillard Y., B. Lambert, Y. Toudic, M. Baudet, M. Gauneau: On the use od dimeric antimony in molecular beam epitaxy. J.Crystal Growth 156(1995) 30-38.
  • [3] Bocchi C., A. Bosacchi, C. Ferrari, S. Franchi, R Franzosi, R. Magnanini, L. Nasi: Determination of lattice parameters in the epitaxial AlSb/GaSb system by high resolution X-ray diffraction. J.Crystal Growth 165 (1996) 8-14.
  • [4] Selvig E., B.O. Fimland, T. Skauli, R. Haakenaasen: Calibration of the arsenic mole fraction in MBE grown GaAs Sb and Al Ga, As Sb, (y<0.2). J.Crystal Growth 227-228 (2001) 562-565.
  • [5] Haugan] H.J., F. Szmulowicz, G.J. Brown, K. Mahalingam: Optimization of mid-infrared InAs/GaSb type-ll superlattices. Applied Physics Letters 84(26) (2004) 5410-5412.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA9-0041-0023
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.