Termiczne stany przejściowe w mikrofalowych tranzystorach MESFET z węglika krzemu

• Autorzy: Janke, W. , Kraśniewski, J. , Oleksy, M.

Warianty tytułu

EN

Thermal transients in microwave SiC MESFET transistors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono sposób pomiaru i wyniki badań przejściowej impedancji termicznej współczesnych typów tranzystorów mikrofalowych dla różnych temperatur otoczenia. Obiektem badań są, tranzystory MESFET z SiC, których znaczenie rośnie, ze względu na coraz częstsze zastosowanie w układach mikrofalowych z zasilaniem impulsowym. Poza przykładowymi wynikami pomiarów, przedstawiono sposób doboru współczynników w analitycznym opisie impedancji termicznej. Na podstawie tych pomiarów wyznaczono droga, symulacji, czasowe przebiegi zmian temperatury wnętrza tranzystorów MESFET z SiC za pomocą algorytmów SARA przy pobudzaniu impulsem mocy o kształcie stosowanym w rzeczywistych układach mikrofalowych.

EN

Influence of the ambient temperature on the thermal characteristics of SiC MESFET microwave transistors is presented in this paper. Multifunctional measurement system for investigating fast thermal transients of semiconductor devices has been used. This system gives the possibility of measuring thermal transients in field-effect MESFET transistors for different excitation patterns. Based on the measurements and additional software it's possible to identify analytical parameters of measured transient thermal curves. Exemplary internal temperature changes for given excitation paterns calculated with use of SARA algorithms are presented. Typical measurement results are presented along with parameters identified for them, for chosen microwave transistors measured in different ambient temperatures.

Słowa kluczowe

PL

tranzystor MESFET; przebiegi termiczne; węglik krzemu

EN

transient thermal impedance; microwave transistors; silicon carbide

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 10
• Strony: 26-27
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz., wykr.

Twórcy

autor

Janke, W.

autor

Kraśniewski, J.

autor

Oleksy, M.

• Politechnika Koszalińska, Wydział Elektroniki i Informatyki

Bibliografia

• [1] Raab F.H. et al.: Power amplifier and transmiter for RF and Microwave. IEEE Trans. on MTT, vol. 50, no. 3. March 2002, pp. 814-826.
• [2] FitzPatrick D.M.: Key Performance Parameters Defining Solid State Microwave Amplifiers. Milmega Appl. Note.
• [3] Wojtasiak W.: The electrothermal modeling of High Power Microware FET and its Applications. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji 2005, zeszyt 51, ss. 85-104.
• [4] Janke W., Kraśniewski J.: The investigations of transient thermal characteristics of microwave transistors. Metrol. Meas. Syst., vol. XVI (2009), no. 3, pp. 433-442.
• [5] Janke W., Kraśniewski J., Oleksy M.: Wpływ temperatury otoczenia na charakterystyki termiczne tranzystorów mikrofalowych. V KKE, Darłówko Wschodnie, 12-14 czerwiec 2006, tom I, ss. 261-266.
• [6] Szekely V. et al.: Measurement and evaluation of thermal transients. IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference. Dec. 5-7, 2000, pp. 46-52.
• [7] Kraśniewski J.: Badania charakterystyk termicznych tranzystorów mikrofalowych. Rozprawa doktorska, Koszalin, 2009.
• [8] Janke W.: Zjawiska termiczne w elementach i układach półprzewodnikowych. WNT, Warszawa 1992.
• [9] Sofia R.: Analysis of thermal transient data with synthesized dynamic models of semiconductor devices. IEEE Trans. On CPMT - Part A, vol. 18, No. 1, March 1995, pp. 39-47.
• [10] Oleksy M.: Identyfikacja parametrów krzywych w analitycznym opisie przejściowych przebiegów termicznych. VI Międzynarodowe Warsztaty Doktoranckie, OWD 2004, Wisła, 16-19 października 2004, vol. 4, pp. 285-290.
• [11] Janke W., Blakiewicz G.: Semi-analytical recursive algorithms for convolution calculation. IEE Proc., - Circ. Dev. Syst., vol. 142, no. 2, April 1995, pp. 125-130.
• [12] Blakiewicz G., Janke W.: Recursive convolution algorithms for time-domain simulation of electronic circuits. Computational Methods in Science and Technology, vol. 7 (2), 2001, pp. 91-109.