Pomiary czasu życia nadmiarowych nośników ładunku w obszarach bliskich granicom ziaren z wykorzystaniem barierowego efektu fotowoltaicznego

• Autorzy: Piotrowski, T. , Sikorski, S. , Kasjaniuk, S. , Lipiński, M.

Warianty tytułu

EN

Minority carrier lifetime near grain boundaries measurements using barrier photovoltaic effect

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono sposób określania efektywnego czasu życia nadmiarowych nośników prądu w obszarach granic ziaren krzemowych płytek multikrystalicznych przeznaczonych do wytwarzania ogniw słonecznych. Do pomiaru wykorzystano efekt fotowoltaiczny powstający na barierze potencjału związanej z granicą ziaren. Pomiary weryfikowano standardową metodą pomiaru zaniku fotoprzewodnictwa w czasie z detekcją mikrofalową.

EN

A method of effective carrier lifetime determination near grain boundaries in multicrystalline silicon wafers for solar cells is presented. Photovoltaic effect on potential barrier at grain boundary is used for measurements. Obtained results are werified by method of photoconductivity decay with microwave beam detection.

Słowa kluczowe

PL

czas życia efektywny; efekt fotowoltaiczny; płytki multikrystaliczne; ogniwa słoneczne

EN

charge carrier lifetime; photovoltaic effect; multicrystalline silicon; solar cells

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 5
• Strony: 74-76
• Opis fizyczny: Bibliogr. 17 poz., wykr.

Twórcy

autor

Piotrowski, T.

autor

Sikorski, S.

autor

Kasjaniuk, S.

autor

Lipiński, M.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] Otaredian T., Middelhoek S., Theunissen M. J.: The theory and application of contactless microwave lifetime measurement. Materials Science & Engineering B (Solid-State Materials for Advanced Technology), B5, 2, 151-156, 1990.
• [2] Otaredian T.: Analysis of microwave scattering from semiconductor wafer [lifetime measurement]. Solid-State Electronics, 36, 2, 163-72, 1993.
• [3] Schieck R., Kunst M.: Frequency modulated microwave photoconductivity measurements for characterization of silicon wafers. Slid-State Electronics, 41, 11, 1755-1760. 1997.
• [4] Sinton R. A., Cuevas A., Stuckings M.: Quasi-steady-state photoconductance, a new method for solar cell material and device characterization. Conference Record of the Twenty Fifth IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1996, NY, USA (Cat. N0.96CH35897). IEEE, 457-60, 1996.
• [5] Cuevas A., Sinton R. A., Stuckings M.: Determination of recombination parameters in semiconductors from photoconductance measurements. 1996 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices. Proceedings, NY, USA (Cat. N0.96TH8197). IEEE., 16-19, 1996.
• [6] Sinton R. A., Cuevas A.: Contactless determination of current-voltage characteristics and minority-carrier lifetimes in semiconductors from quasi-steady-state photoconductance data. Applied Physics Letters, 69, 17, 2510-12, 1996.
• [7] Kasemann M. i in.: Progres in silicon solar cell characterization with infrared imaging methods, 23rd Photovoltaic Solar Energy Conference. 1-5 September, Yalencia, Spain, 2008.
• [8] Jung W. i in.: Study of Bulk Photovoltaic Effect and Photovoltaic Barrier Effect Distributions in Multicrystalline Silicon. Physica Status Solidi C, 4, 8, 2918-2922, 2007.
• [9] Kazmierski L.: Polycrystalline and amorphous thin films and devices. Academic Press, New York, 1980.
• [10] Harbeke G.: Polycrystalline Semiconductors. Springer-Verlag, Berlin, 1985.
• [11] Noor Mohammad S., Rogers Ch. E.: Theory of electrical transport and recombination in polycrystalline semiconductors under optical illumination. Solid-State Electronics 31, 7, 1157-1167, 1988.
• [12] Macdonald D., Cheung A., Cuevas A.: Gettering and poisoning of silicon wafers by phosphorus diffused layers. Proceedings of 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (IEEE Cat. No.03CH37497). Arisumi Printing Inc. Japan, Part Vol. 2, 1336-9, 2003.
• [13] Tan J. i in.: On the electronic improvement of multi-crystalline silicon via gettering and hydrogenation. Progress in Photovoltaics: Research and Applications, 16, 2, (), 129-34.
• [14] Macdonald D., Mackel H., Cuevas A.: Effect of gettered iron on recombination in diffused regions of crystalline silicon wafers. Applied Physics Letters, 88, 9, 92105-1-3, 2008.
• [15] Tan J. i in.: Dissolution of metal precipitates in multicrystalline silicon during annealing and the protective effect of phosphorus emitters. Applied Physics Letters, 91, 4, 043505-1-3, 2007.
• [16] Kowtoniuk N. F., Koncewoj J. A.: Pomiary Parametrów Materiałów Półprzewodnikowych. PWN, Warszawa 1973.
• [17] Cuevas A., Kerr M.J., Schmidt J.: Passivation of crystalline silicon using silicon nitride. Proceedings of 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (IEEE Cat. No.03CH37497). Arisumi Printing Inc. Japan, Part vol. 1, 913-18, 2003.