Wyznaczanie naprężeń w strukturach epitaksjalnych GaN

• Autorzy: Korbutowicz, R.

Warianty tytułu

EN

Stress determine in GaN epitaxial structures

• Konferencja: Kongres Polskiego Towarzystwa Próżniowego ; Krajowa Konferencja Techniki Próżni (4 ; 8 ; 21-24.09.2008 ; Janów Lubelski, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Artykuł omawia zagadnienia związane z możliwościami jakie daje spektroskopia mikrbramanowska w analizie warstw epitaksjalnych azotku galu: wyznaczanie naprężeń i rozkładu naprężeń oraz odkształcenia w strukturach epitaksjalnych, a tym samym określenie jakości kryształu powierzchniowego. Możliwość jakościowej i ilościowej analizy wynika z faktu, że widmo Ramana jest charakterystyczne dla danego rodzaju atomów lub cząsteczek (ich drgań), zaś jego intensywność zależy od liczby rozproszonych nieelastycznie fotonów.

EN

A paper is devoted to possibility of the microRaman speetroscopy applications in area of gallium nitride epilayers analyzes, especially determination of the stress and the stress distribution as well as strains in epitaxial structures. It can give information about the surface's crystal quality. Micro-Raman spectroscopy is one of the sensitive methods for giving information about the stress in epilayers. These huge possibilities of quality and quantity estimation arise from characteristic reaction of atoms and molecules - i.e. their vibrafions and Raman spectrum intensity depends on the inelastic scattered photons quantity.

Słowa kluczowe

PL

spektroskopia mikroramanowska; azotek galu; warstwy epitaksjalne; naprężenia; odkształcenia

EN

microRaman spectroscopy; gallium nitride; epilayers; stress; strain

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2009
• Tom: Vol. 50, nr 1
• Strony: 30-32
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., wykr.

Twórcy

autor

Korbutowicz, R.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki, Mikrosystemów i Fotoniki, Wrocław

Bibliografia

• [1] Paszkiewicz R. i in.: MOVPE GaN grown on alternative substrates. Cryst. Res. Technol., (2001), vol. 36, nr 8-10, p. 971.
• [2] Korbutowicz R. i in.: X-ray characterization of thick GaN layers grown by HVPE. Cryst. Res. Technol., (2005), vol. 40, nr4/5, p. 503.
• [3] Harima H.: Properties of GaN and related compounds studied by means of Raman scattering. J. Phys.: Condens. Matter., vol. 14, R967 (2002).
• [4] Davydov V. Yu., i in.: Phonon dispersion and Raman scattering in hexagonal GaN and AIN, Phys. Rev. B, vol. 58, (1998), p. 12899.
• [5] Karch K. i in.: Abinitio study of structural, dielectric, and dynamical properties of GaN. Phys. Rev. B, vol. 57, p. 7043 (1998).
• [6] Wang F. C. i in.: Residual thermal strain in thick GaN epifilms revealed by cross - sectional Ratnan scattering and cathodoluminescence spectra. Semicond. Sci. Technol., vol. 22, (2007), s. 896.
• [7] Weber W. H., Merlin R.: Raman Scattering in Materials Science. Springer Series in Materials Science, Springer-Verlag, Berlin Heidelberg New York German (2000).
• [8] Perlin P. i in.: Raman scattering and x-ray absorption spectroscopy in gallium nitride under high pressure, Phys. Rev. B, vol. 45, (1992), p. 83.
• [9] Kisielowski C. i in.: Strain - related phenomena in GaN thin films, Phys. Rev. B, vol. 54, (1996), p. 17745.
• [10] Korbutowicz R. i in.: Cross - sectional and surface Raman mapping of thick GaN layers. Cryst. Res. Technol., 1 - 6 (2008)/DOI 10.1002/crat.200800245.