Epitaksja warstw atomowych w ultrawysokiej próżni : fizyka procesu i jego zastosowania

• Autorzy: Herman, M. A.

Warianty tytułu

EN

Ultrahigh vacuum atomic layer epitaxy : physical principles and applications

• Konferencja: Kongres Polskiego Towarzystwa Próżniowego ; Krajowa Konferencja Techniki Próżni (4 ; 8 ; 21-24.09.2008 ; Janów Lubelski, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule zostały opisane podstawy procesu krystalizacji cienkich warstw epitaksjalnych znanego pod nazwą epitaksja warstw atomowych w ultrawysokiej próżni oraz wskazane zostały przykłady zastosowań tej metody w technologii struktur półprzewodnikowych występujących w przyrządach elektronicznych.

EN

Principles of the ultrahigh vacuum atomie layer epitaxy crystallization technique are presented in this paper. Some examples of application of this techniquein technological processesof crystallization of semi-conductor structures oceurring in eleetronic devices have been discussed.

Słowa kluczowe

PL

cienkie warstwy; epitaksja warstw atomowych; wysoka próżnia

EN

thin films; atomic layer epitaxy; ultrahigh vacuum

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2009
• Tom: Vol. 50, nr 1
• Strony: 28-30
• Opis fizyczny: Bibliogr. 2 poz.

Twórcy

autor

Herman, M. A.

• Polska Akademia Nauk, Instytut Fizyki, Warszawa

Bibliografia

• [1] Herman M. A.: Atomic Layer Epitaxy - 12 years later. Vacuum vol. 42 no. 1/2, 1991, p. 61.
• [2] Herman M. A.: Atomic Layer Epitaxy versus phase - locked epitaxy, migration enhanced epitaxy and molecular layer epitaxy. A critical comparison. Crystal Properties and Preparation vol. 32-34, 1991, p. 322.