Warstwy dielektryczne do przyrządów wytwarzanych z węglika krzemu

• Autorzy: Szmidt, J. , Bąkowski, M. , Sokołowska, A. , Jakubowski, A.

Warianty tytułu

EN

Dielectric layers for silicon carbide devices

• Konferencja: Technologia Elektronowa. 7 Konferencja Naukowa ; 18-20.09.2000 ; Polanica Zdrój, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy scharakteryzowano właściwości różnych odmian węglika krzemu na tle innych materiałów półprzewodnikowych. Przedstawiono wymaganiadla warstw dielektrycznych stosowanych w przyrządach półprzewodnikowych - w szczególności struktur MIS. Dokonano krytycznej analizy warstw termicznego SiO₂ oraz przedstawiono pierwsze wyniki badań innych dielektryków wytwarzanych metodami plazmowymi na podłożach z węglika krzemu.

EN

The paper presents characterisation of different forms of silicon carbide in comparison with other semiconductors. Requirements for dielectric layers for applications in silicon carbide devices, especially in MIS structures, are also presented. A critical analysis of thermal SiO₂ layers is effected and first results of investigations of other dielectric layers (AlN, Al₂O₃) produced by plasma method on silicon carbide substrates are presented.

Słowa kluczowe

PL

struktury MIS; analiza krytyczna; warstwy dielektryczne

EN

structures MIS; critical analysis; dielectric layers

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2001
• Tom: Vol. 42, nr 2
• Strony: 30-33
• Opis fizyczny: Bibliogr. 36 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Szmidt, J.

autor

Bąkowski, M.

autor

Sokołowska, A.

autor

Jakubowski, A.

• Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, Politechnika Warszawska,