Stabilność termiczna ultracienkich warstw tlenko-azotków osadzanych metodą PECVD

• Autorzy: Mroczyński, R. , Cuch, M. , Bieniek, T. , Beck, R. B. , Jakubowski, A.

Warianty tytułu

EN

Thermal stability of deposited by PECVD ultrathin oxynitride layers

• Konferencja: Technologia elektronowa : ELTE' 2004 : konferencja naukowa (8 ; 19-22.04.2004 ; Stare Jabłonki, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Opracowanie poświęcone jest zbadaniu wpływu wygrzewania wysokotemperaturowego na właściwości elektrofizyczne ultracienkich warstw SiOxNy.

EN

The aim of this work is the experimental study of the influence of high-temperature annealing on electro-physical properties of the ultrathin oxynitride layers.

Słowa kluczowe

PL

ultracienkie dielektryki; PECVD; tlenko-azotek; CMOS

EN

ultrathin dielectrics; PECVD; oxynitride; CMOS

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 2-3
• Strony: 62-63
• Opis fizyczny: Rys., wykr.

Twórcy

autor

Mroczyński, R.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki

autor

Cuch, M.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki

autor

Bieniek, T.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki

autor

Beck, R. B.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki

autor

Jakubowski, A.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki

Uwagi

brak bibliografii