Selektywne osadzanie warstw GaN na podłożach krzemowych metodą reaktywnego sputteringu

• Autorzy: Stańczyk, B. , Jagoda, A. , Domański, A. W.

Warianty tytułu

EN

Selective deposition of GaN layers on silicon substrates by rf sputtering

• Konferencja: Technologia elektronowa : ELTE' 2004 : konferencja naukowa (8 ; 19-22.04.2004 ; Stare Jabłonki, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Zbadano możliwość uzyskania warstw GaN metodą reaktywnego sputteringu przy wykorzystaniu techniki selektywnego osadzania. Założono, że zastosowanie selektywności poprawi parametry warstw w stosunku do osadzanych w sposób nieselektywny . Selektywność osadzania warstw GaN w sputronie uzyskano, ograniczając powierzchnię wzrostu do niskowymiarowych, periodycznych obszarów (tarasów), które otrzymano w wyniku fotolitografii i pionowego, głębokiego trawienia plazmowego podłożowych płytek krzemowych.

EN

In this work, we tried to deposit GaN layer by reactive sputtering using technique of selective growth, on silicon substrate. We assumed that the selectivity correct parameters layers in compare with nonselective layer. In sputtering, dielectric tilms, used in ELO, don't assure selective grown. We achieved selectivity deposition GaN layer by limitation area growth to low size, periodic terraces, which obtained using photolithography and plasma etching ot silicon wafers.

Słowa kluczowe

PL

GaN; sputtering; selektywne osadzanie

EN

GaN; sputtering; selective deposition

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 2-3
• Strony: 27-28
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., il.

Twórcy

autor

Stańczyk, B.

• Instytut Technologii Materiałów Elektrycznych, Warszawa

autor

Jagoda, A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektrycznych, Warszawa

autor

Domański, A. W.

• Instytut Technologii Materiałów Elektrycznych, Warszawa

Bibliografia

• 1. Hiramatsu K., Matsuchima H., Shibata T, Kawagachi Y., Swaki N.: Materials Science and Eneginering, B59, 104-111,1999.
• 2. Hansen M., Fini P., Zhao I., Abare A., Coldren L.A., Speck J.S., Denbaar S. P.: MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research, 5S1, 2000.
• 3. Haffouz S. et al.: Journal of Crystal Growth, 248, 568-572, 2003.
• 4. Guo Q.X., Okada A., Kidera H., Tanaka T., Nishio M., Ogawa H.: Journal of Crystal Growth, 237-239, 1079-1083, 2002.
• 5. Stańczyk В., Jagoda A.: Journal of Wide Bandgap Materials, 9, 213-219, 2002.
• 6. Pearton et al.: Journal Appl. Phys., 86(1), 1-78, 1999.