Wydajność otrzymywania warstw dielektrycznych nanoszonych metodą reaktywnego rozpylania magnetronowego

• Autorzy: Posadowski, W. M. , Kudzia, J. , Wiatrowski, A.

Warianty tytułu

EN

Deposition rate of dielectric films obtained by reactive magnetron sputtering

• Konferencja: Technologia elektronowa : ELTE' 2004 : konferencja naukowa (8 ; 19-22.04.2004 ; Stare Jabłonki, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Warstwy aluminium domieszkowane gazem reaktywnym (azot, tlen) otrzymywano w procesie reaktywnego impulsowego rozpylania magnetronowego. Mod pracy magnetronu (stan powierzchni targetu) określano na podstawie zależności szybkości nanoszenia i mocy zasilania w funkcji ciśnienia parcjalnego gazu reaktywnego. Maksymalna szybkość nanoszenia przeźroczystych i twardych warstw (AlNx, AlxOy) wynosiła odpowiednio ~60 i ~ 100 nm/ min, przy mocy wydzielanej w katodzie magnetronu 75 W/cm² (odległość target-podłoże d_S-T = 100 mm).

EN

Aluminium films doped with reactive gas (nitrogen, oxygen) were obtained during pulsed magnetron sputtering. Magnetron mode (surface condition of the target) was estimated from the parameters of the power supply unit and from the thin film deposition rates versus reactive gas partial pressure. The maximum deposition rate of transparent and hard films (AlNx, AlxOy) was ~ 60 and ~ 100 nm/ min respectively, at the target power density 75 W/cm² (target-substrate distance d_S-T = 100 mm). The thin films were sputtered in metallic sputtering mode.

Słowa kluczowe

PL

proces reaktywnego impulsowego rozpylania magnetronowego; warstwy AINx; AlxOy

EN

pulsed magnetron sputtering; layers AINx; AlxOy

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 2-3
• Strony: 17-18
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., wykr.

Twórcy

autor

Posadowski, W. M.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Kudzia, J.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Wiatrowski, A.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

Bibliografia

• 1. Berg S., Blom H.-О., Larsson T., Nender C., Journal Vac. Sci. Technol., A 5(2), Mar/Apr, (1987), pp. 202-207.
• 2. Jonsson L. B., Nyberg T., Berg S., Journal Vac. Sci. Technol., A 17(4), Jul/Aug, (1999), pp. 1827-1831.
• 3. Jonsson L. B., Nyberg T., Berg S., Journal Vac. Sci. Technol., A 18(2), Mar/ Apr, (2000), s. 503-507, Lars B. Jonsson, Praca doktorska No 445, Faculty of Sciences and Technology, Uppsala University, Acta Universitatis Upsaliensis, (1999).
• 4. Posadowski W. M„ Thin Solid Films, 343-344, (1999), pp. 85-89.