Analiza skutków ultrapłytkiej implantacji jonów azotu w plazmie w cz. (13,56 MHz)

• Autorzy: Bienek, T. , Beck, R. B. , Jakubowski, A. , Kudła, A.

Warianty tytułu

EN

Study of extremely shallow nitrogen ions implantation in planar r.f. plasma reactors

• Konferencja: Technologia elektronowa : ELTE' 2004 : konferencja naukowa (8 ; 19-22.04.2004 ; Stare Jabłonki, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawione w pracy eksperymenty są częścią szerszych studiów mających na celu zbadanie możliwości zastosowania jednocześnie obu etapów wytwarzania warstwy dielektrycznej, np. ultrapłytkiej implantacji jonów azotu i utleniania w jednym stanowisku technologicznym.

EN

Presented in this work experiments are a part of a broader study that examines the possibility of conducting both stages of creation of the dielectric (e.g. ultra-shallow nitrogen implantation and silicon oxidation) in one technological reactor.

Słowa kluczowe

PL

dual gate; implantacja plazmowa; tlenki; tlenkoazotki; PECVD; XPS

EN

dual gate technology; plasma implantation; oxides; oxynitrides; PECVD; XPS

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 2-3
• Strony: 9-10
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., wykr.

Twórcy

autor

Bienek, T.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektronniki i Optoelektroniki

autor

Beck, R. B.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektronniki i Optoelektroniki

autor

Jakubowski, A.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektronniki i Optoelektroniki

autor

Kudła, A.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• 1. http://public.itrs.net
• 2. Bieniek T., Beck R.B., Jakubowski A., Kudła A.: Ultra shallow nitrogen plasma implantation for ultrathin silicon oxynitride (SiOxNy) layers formatio, przyjęty do druku w Journal of Telecommunications.
• 3. Rajkumer, Kumar M., George P.J., Mukherjee S., Chari K.S.: Effects of nitrogen and argon plasma-immersion ion implantation on silicon and its oxidation, Surface and Coatings Technology 156 (2002) 253-257.
• 4. Chevolleau, Szekeres A., Alexandrova S.: Oxidation of N implanted silicon: optical and structural properties. Surface and Coatings Technology 151-152 (2002) 281-284.