Noise spectroscopy measurement of 2.3 µm CW GaSb based laser diodes

• Autorzy: Chobola, Z. , Juránková, V. , Vanék, J. , Hulicius, E. , Šimeček, T. , Alibert, C. , Rouillard, Y. , Werner, R.

Warianty tytułu

PL

Pomiary spektroskopii szumowej diod laserowych z 2,3 µm CW GaSb

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

PL

Przeprowadzono pomiary charakterystyk statycznych i szumowych diod laserowych z 2,3 µm CW GaSb spolaryzowanych w kierunku przewodzenia w celu oceny nowej technologii. Wyniki pomiarów wskazują, że gęstość widmowa mocy szumów odpowiadająca defektom jest typu 1/f, a jej poziom jest proporcjonalny do kwadratu prądu stałego przy polaryzacji w kierunku przewodzenia dla małych poziomów wstrzykiwania nośników.

EN

Transport and noise characteristic of forward biased 2.3 µm CW GaSb laser diodes were measured in order to evaluate a new technology. From the measurement results it follows that noise spectral density related to defects is of 1/f type and its magnitude was found to be proportional to the square of DC forward current low injection levels.

Słowa kluczowe

PL

diody laserowe GaSb; widmowa moc szumów

EN

laser diodes GaSb; noise spectral density

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2005
• Tom: Vol. 46, nr 1
• Strony: 70-73
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., wykr.

Twórcy

autor

Chobola, Z.

• Stavebni fakulta VUT, Ústav fyziky, Brno

autor

Juránková, V.

• Stavebni fakulta VUT, Ústav fyziky, Brno

autor

Vanék, J.

• Stavebni fakulta VUT, Ústav fyziky, Brno

autor

Hulicius, E.

• Fizikální ústav AVČR, Praha

autor

Šimeček, T.

• Fizikální ústav AVČR, Praha

autor

Alibert, C.

• Montpelier University 2, France

autor

Rouillard, Y.

• Montpelier University 2, France

autor

Werner, R.

• Nanoplus GmbH, Nanosystems and Technologies, Germany

Bibliografia

• 1. Van der Ziel A., Tong H.: Low frequency noise predicts when a transistor will fail. Electronics, vol. 39 (24), pp. 95-97, 1966.
• 2. Vandamme L. K. J., Alabedra R., Zommiti M.: 1/f noise as a reliability estimation for solar cells. Solid-State Electron., vol. 26, pp. 671-674,1983.
• 3. Savelli M., Lecoy G., Dinet D., Renard J., Sauvage D.: 1/f noise as a quality criterion for electronic devices and its measurement in automatic testing. AET Conf. Session 4, pp. 1-27, 1984.
• 4. Sikula J., Vasina P., Musilova V., Chobola Z., Rothbauer M.: 1/f noise in GaAs Schottky diodes. Phys. Stat. Sol. (a), vol. 84, pp. 693-696,1984.
• 5. Vandamme L. K.: Opportunities and Limitations to Use Low-Frequency Noise as a Diagnostic Tool for Devices Quality. In: Proceeding Noise and Fluctuations ICNF 2003 Prague, pp.731-745 19??.
• 6. Konczakowska A.: Lifetime dependence on 1/f noise of bipolar transistors. Noise in Physical Systems (С. M. van Vliet, ed.), p. 489, World Scientific, Singapore, 1987.
• 7. Hartler G., Barkowsky A., Bruseke P., Zacharias H.: Reliability predictions by multi-indicator-analysis. Proc, of 3rd Eur. symp. ESREF 92, Schwabish Gmund, pp. 211-214, 1992.
• 8. Jones В. K.: Electrical Noise as a Measure of Reliability in Electronic Devices. Advances in Electronics and Electron Physics, vol. 67, pp. 201-257, 1994.
• 9. Jevtic M.: Noise as a diagnostic and prediction tool in reliability physics. Microelectronic and Reliability, vol 35, no. 3, pp. 455-477,1995.
• 10. Chobola Z.: Noise as a tool for non-destructive testing of single-crystal silicon solar cells. Microelectronics Reliability, vol. 41/12.