Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
2004 | Vol. 45, nr 10 | 41-43
Tytuł artykułu

Badanie wpływu technologii na parametry wybranych elementów optoelektronicznych

Warianty tytułu
EN
Investigation of technology on electrical parameters of optoelectronic devices
Konferencja
Konferencja "Technologia Elektronowa" ELTE '2004 (8 ; 19-22.04.2004, Stare Jabłonki, Polska)
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Przedstawiono wyniki badań związanych z konstrukcją i wytwarzaniem fotodetektorów MSM oraz mikrobaterii fotowoltaicznych ze związków Ga(Al,In)As. W prawidłowej konstrukcji obydwu grup przyrządów, niezwykle istotna jest minimalizacja prądu ciemnego i upływności elementów. Opisano efekty pasywacji powierzchni fotodetektorów poprzez zastosowanie warstw dielektrycznych Si3NOx i AIN. Badano także wpływ konpozycji materiału warstwy aktywnej mikrobaterii fotowoltaicznej na jej prąd zwarciowy i napięcie rozwarcia.
EN
Influence of process technology on electrical parameters of Ga(Al,In)As MSM photodetectors and photovoltaic micro-arrays was envestigated. The effects of the dark current suppression due to surface passivation in MSM photodetectors with AIN and Si3NOx layers are presented. The photovoltaic arrays were fabricated as a series connection of seven Ga((Al,In)As PIN diodes. The influence of device active layer composition on the open circuit voltage and the short circuit current values was investigated.
Rocznik
Strony
41-43
Opis fizyczny
Wykr., rys.
Twórcy
  • Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
  • Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
  • Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
autor
  • Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA2-0008-0190