Zastosowanie warstw azotków do konstrukcji filtrów z powierzchniową fala akustyczną

• Autorzy: Szyszka, A. , Paszkiewicz, B. , Paszkiewicz, R. , Tłaczała, M. , Dumiszewska, E. , Strupiński, W. , Teodorczyk, M.

Warianty tytułu

EN

Applications of nitrides layers for surface acoustic wave filters

• Konferencja: Konferencja "Technologia Elektronowa" ELTE '2004 (8 ; 19-22.04.2004, Stare Jabłonki, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań nad opracowaniem technologii i konstrukcji filtrów z powierzchniową falą akustyczną wytwarzanych na epitaksjalnych warstwach azotków. Wykonano struktury filtrów SAW. Przedstawiono charakterystyki prądowo napięciowe przetworników międzypalczastych oraz przykładową charakterystykę częstotliwościową filtra wykonanego na warstwie Al0,147Ga0,853 N/Ga.

EN

The SAW (Surface Acoustic Wave) transducers technology based on epitaxial layers of nitrides were designed. The device structures were fabricated. Their dc frequency characteristic were measured and discussed.

Słowa kluczowe

PL

SAW; filtr z powierzchniową falą akustyczną; AlGaN

EN

SAW; surface acoustic wave filter; AlGaN

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2004
• Tom: Vol. 45, nr 10
• Strony: 8-9
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz.

Twórcy

autor

Szyszka, A.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Paszkiewicz, B.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Paszkiewicz, R.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Tłaczała, M.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Dumiszewska, E.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

autor

Strupiński, W.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

autor

Teodorczyk, M.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

Bibliografia

• [1] Steindl R., et. al.: Tempmeko99 Proceedings, 90, 9013359, 3,1999, 424.
• [2] Lee S. H., et. al.: Electron Devices, 48, 2001, 524.
• [3] Gualtieri J.G., Kosiński J. A., Ballato A.: IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Contr., 41, 1994, 53.
• [4] Yamanouchi K., Hayama S.: IEEE Trans. Sonics. Ultrason., 31, 1984, 122.