Właściwości tranzystorów VDMOS CooIMOS. Charakterystyki i parametry dynamiczne

• Autorzy: Zarębski, J. , Posobkiewicz, K. , Jasicki, P.
• Języki publikacji: PL
• Czasopismo: Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
• Rocznik: 2002
• Tom: nr 12
• Strony: 18-21
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Zarębski, J.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Radioelektroniki Morskiej

autor

Posobkiewicz, K.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Radioelektroniki Morskiej

autor

Jasicki, P.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Radioelektroniki Morskiej

Bibliografia

• 1. Lorenz L., Marz M., Debory G.: CoolMOS An Important Milestone Towards a New Power MOSFET Generation. International Conference ZM Communications GmbH (PCIM '98), p. 15.
• 2. Lorenz L., Deboy G., Knapp A., Marz M.: CoolMOST™ - A New Milestone in High Voltage Power MOS. Proc. International Symposium on Power Semiconductors and ICs (ISPSD 99). Toronto 1999, p. 3.
• 3. Zarębski J: Właściwości i charakterystyki tranzystora CoolMOS. Elektronika, nr 12, 2001, s. 9.
• 4. Zarębski J., Jasicki P.: CoolMOS nowy wysokonapięciowy tranzystor mocy. Zeszyty Naukowe WSM, nr 42, 2001, s. 106.
• 5. Zarębski J., Jasicki P., Posobkiewicz K.: Porównanie właściwości i charakterystyk tranzystorów VDMOS oraz CoolMOS. Zastosowanie komputerów w elektrotechnice, Kiekrz, 2002, t. 1, s. 353. 6. Shenoy P., Bhalla A., Dolny G.: Analysis of the Effect of Charge Imbalance on the Static and Dynamic Characteristic of the Super Junction MOSFET. International Symposium on Power Semiconductors and ICs (ISPSD99), Toronto 1999, p. 99.
• 7. Kawaguchi Y., Nakamura K., Yahata A., Nakagawa A.: Predicted Electrical Characteristics of 4500 V SuperMulti-Resurf MOSFETs. International Symposium on Power Semiconductors and ICs (ISPSD '99), Toronto 1999, p. 95.
• 8. www.infineon.com.
• 9. www.irf.com.
• 10. Katalog Tranzystorów HEXFET. International Rectifier, 1997.
• 11. Napieralski A., Napieralska M.: Polowe półprzewodnikowe przyrządy dużej mocy. WNT, Warszawa. 1995.