Uszkodzenia dyskretnych przyrządów energoelektronicznych dużej mocy w warunkach eksploatacyjnych

• Autorzy: Januszewski, S. , Zymmer, K.
• Języki publikacji: PL
• Czasopismo: Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
• Rocznik: 2002
• Tom: nr 11
• Strony: 32-35
• Opis fizyczny: Bibliogr. 20 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Januszewski, S.

• Instytut Elektrotechniki, Warszawa

autor

Zymmer, K.

• Instytut Elektrotechniki, Warszawa

Bibliografia

• 1. Aloisi P. A.: Thermomechanical degradation and thermal fatigue. Proc. of ESREF '93, October, 1993, Bordeaux (France) 253-257.
• 2. Ciappa M. et al.: A thermomechanical failure mechanizm of IGBT multichip modules. Proc. of ESREF '95, October, 1995, Bordeaux (France) 493-499.
• 3. Duong S. et al.: Investigation on the IGBT case explosion in short circuit operation. Proc. of EPE '97, Sept. 1997, Trondheim, vol. 2, 16-21.
• 4. Gekenidis S. et al.: Explosion tests on IGBT high voltage modules. Proc. of ISPSD 99, May, 1999, Toronto (Canada) 129-132.
• 5. Januszewski S., Stańczak W., Świątek H., Zymmer K.: The Peak Case Nonrupture Current of High Power Semiconductor Devices. PEMC '94 Intern Conference on Power Electronics, Motion Control and Associated Applications, Warszawa 1994.
• 6. Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Świątek H., Świątek G: Causes and Mechanisms of Semiconductor Device Failures in Power Converter Service Conditions. 6th Europpean Conference on Power Electronics and Applications EPE '95. Sept. 1995, Sevilla (Spain).
• 7. Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Stypulkowska E., Świątek H., Świątek G: Investigation of Destroyed Parts of Sur- face of High Power Semiconductor Devices in Service Conditions. 6th European Symposium Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis ESREF '95, Oct. 1995, Bordeaux (France).
• 8. Januszewski S., Stańczak W., Świątek H., Zymmer K.: Badania eksplozyjnej wytrzymałości półprzewodnikowych przyrządów mocy w warunkach zwarciowych. Konferencja Energoelektronika w zastosowaniach przemysłowych", Warszawa-Miedzylesie 1996.
• 9. Januszewski S., Świątek H., Zymmer K.: Some Experiences Concerning of a Starting and Semice of High Power IGBT Converters. EPE 97, Trondheim.
• 10. Januszewski S., Zymmer K.: Problemy eksploatacji układów energoelektronicznych z tyrystorami wyłączalnymi GTO. Prace Instytutu Elektrotechniki, 1998, nr 197.
• 11. Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Świątek H.: Some Observation Dealing with the Failures of IGBT Transistors in High Power Converters. Microelectronics Reliability, 1998, no. 38, p. 1325-1330.
• 12. Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Świątek H., Świą tek G.: Semiconductor Device Failure in Power Converter Service Conditions. EPE Journal, 1998, nr 3-4.
• 13. Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Pytlak A., Świątek H., Zymmer K.: Wpływ uszkodzeń półprzewodnikowych przyrządów mocy na bezpieczeństwo urządzeń energoelektronicznych. Prace Instytutu Elektrotechniki, 1999, z. 203.
• 14. Januszewski S., Świątek H., Zymmer K.: Zapobieganie zagrożeniu eksplozją przyrządów energoelektronicznych przy zwarciach w przekształtnikach dużej mocy. Wiadomości Elektrotechniczne, 1999, nr 3, s. 120-124.
• 15. Januszewski S.: Przyczyny uszkodzeń przyrządów energoelektronicznych dużej mocy. Wiadomości Elektrotechniczne, 2001, nr 5, s. 200-205.
• 16. Ramminger S. et al: Crack mechanism in wire bonding joints. Microelectronics Reliability, 1998, no. 38, 1301-1305.
• 17. Shimizu Y. et al.: A study on maximum turn-off current of a high power GTO, IEEE Trans. on Electron Devices, 1999, no. 2, 413-419.
• 18. Standard IEC 60747-6 Ed. 2 (2001): Semiconductor devices. Part 6: Thyristors.
• 19. Zymmer K., Sakowicz S., Januszewski S.: High power Semiconductor device thermal stresses during short circuit states. Proc. of EPE PEMC 2000, Sept. 2000, Kosice (Slovak Republic), vol. 3, 221-226.
• 20. Zymmer K., Sakowicz S.: Badania wytrzymałości eksplozyjnej obudów przyrządów energoelektronicznych i zagrożenia występujące w układach przekształtnikowych. Prace Instytutu Elektrotechniki, 2001, z. 209, s. 5-40.