Tlenki dielektryczne wytwarzane metodą osadzania warstw atomowych w niskich temperaturach dla zastosowań w elektronice jako izolatory

• Autorzy: Gierałtowska, S. , Wachnicki, Ł. , Witkowski, B. S. , Godlewski, M. , Guziewicz, E.

Warianty tytułu

EN

Dielectric oxides as insulators obtained by Atomic Layer Deposition method at low temperatures for electronic applications

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. Sesja Specjalna InTechFun POIG.01.03.01-00-159/08 (11. 11-14.06. 2012 ; Darłówko Wschodnie, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Tlenki o wysokiej stałej dielektrycznej (ang. high-k oxides) pełniące funkcję izolatora są powszechnie wykorzystywane w przyrządach półprzewodnikowych (procesorach, pamięciach masowych). Nasze badania zostały skoncentrowane na optymalizacji parametrów technologicznych wzrostu cienkich warstw dielektrycznych: dwutlenku hafnu (HfO₂), tlenku glinu (Al₂O₃) oraz dwutlenku cyrkonu (ZrO₂), a także ich warstw kompozytowych. Wysokiej jakości tlenki zostały otrzymane z wykorzystaniem metody osadzania warstw atomowych (ang. Atomie Layer Deposition, ALD) w niskiej temperaturze (60...240 C).

EN

Oxides with high dielectric constant (called "high-k oxides") as insulators are commonly used in semiconductor manufacturing processes. Our research was focused on the optimization of technological growth parameters for thin dielectric films: hafnium dioxide (HfO₂), aluminum oxide (Al₂O₃) and zirconium oxide (ZrO₂), and their composite layers. High quality oxides were prepared using the Atomic Layer Deposition method Atomic Layer Deposition (ALD) at low temperature (60-240 C).

Słowa kluczowe

PL

tlenki o wysokiej stałej dielektrycznej; warstwy kompozytowe; metoda osadzania warstw atomowych

EN

high-k dielectric oxides; composite layers; Atomic Layer Deposition method

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2012
• Tom: Vol. 53, nr 9
• Strony: 68-70
• Opis fizyczny: Bibliogr. 15 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Gierałtowska, S.

autor

Wachnicki, Ł.

autor

Witkowski, B. S.

autor

Godlewski, M.

autor

Guziewicz, E.

• Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Warszawa

Bibliografia

• [1] Wager J. F.: Science 300, 1245, 2003.
• [2] Wager J. F., D. A. Keszler, R. E. Presley: Transparent Electronics. Springer, New York 2008.
• [3] Masuda S., K. Kitamura, Y. Okumura, S. Miyatake, H. Tabata, T. Kawai: J. Appl. Phys. 93, 1624, 2003.
• [4] Hoffman R. L., B. J. Norris, J. F. Wager: Appl. Phys. Lett. 82, 733, 2003.
• [5] Nomura K., H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono: Science 300, 1269, 2003.
• [6] Carcia P. F., R. S. McLean, M. H. Reilly, G. Nunes Jr.: Appl. Phys. Lett. 82, 1117, 2003.
• [7] Fortunato E. et al.: Adv. Mater. 17 590, 2005.
• [8] Robertson J.: J. Vac. Sci. Technol. B 18 1785, 2000.
• [9] Moore G. E.: Electronics 38, 8, April 19, 1965.
• [10] Lo S. H., D. A. Buchanan, Y. Taur, W. Wang: IEEE Electr. Device L. 18, 209, 1997.
• [11] Suntola T., J. Antson: U.S Patent 4,058,430, 1977.
• [12] Robertson J.: Eur. Phys. J. Appl. Phys. 28 265-291, 2004.
• [13] Wilk G., R. M. Wallace, J. M. Anthony: J. Appl. Phys. 89, 5243, 2001.
• [14] Gierałtowska S., D. Sztenkiel, E. Guziewicz, M. Godlewski et al.: Acta Phys. Pol. A 119 (5), 692, 2011.
• [15] Gierałtowska S., L. Wachnicki, B. S. Witkowski, M. Godlewski, E. Guziewicz: Thin Solid Films. doi:10.1016/j.tsf.2011.10.151, 2011.