Monokryształy antymonku galu (GaSb) otrzymane metodą Czochralskiego

• Autorzy: Mirowska, A. , Orłowski, W. , Bańkowska, A.

Warianty tytułu

EN

Gallium antimonide (GaSb) single crystals grown by Czochralski method

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Do otrzymywania monokryształów antymonku galu (GaSb) została wybrana metoda Czochralskiego. Zbadano wpływ parametrów technologicznych procesu na właściwości niedomieszkowanych monokryształów GaSb. Otrzymano niedomieszkowane monokryształy o orientacji <111> oraz <100> o koncentracji nośników p< 2·10¹⁷ cm⁻³ oraz ruchliwości u > 600 cm²/Vs mierzonej w 300K. Przeprowadzono próby domieszkowania antymonku galu na typ n przewodnictwa (domieszkowanie tellurem) oraz na typ p przewodnictwa (jako domieszki użyto krzem). W obu przypadkach otrzymano monokryształy o orientacji <100>.

EN

Gallium antimonide (GaSb) single crystals were grown by Czochralski method. The influence of technological parameters on GaSb parameters has been investigated. Undoped <111> and <100> oriented GaSb single crystals were obtained with carrier concentration p < 2·10¹⁷ cm⁻³ and mobility μ > 600 cm²/Vs (measured in 300K). Gallium antimonide doping were done for n-type of conductivity (by tellurium) and for p-type (by silicon). In both cases <100> oriented single crystals were obtained.

Słowa kluczowe

PL

antymonek galu; GaSb; A3B5; Czochralski; wzrost kryształów

EN

gallium antimonide; GaSb; A3B5; Czochralski; crystal growing

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 1
• Strony: 53-55
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Mirowska, A.

autor

Orłowski, W.

autor

Bańkowska, A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

Bibliografia

• [1] Sunder W. A., Barns R. L, Kometani.Y. T, Parsey J. M., Laudise R. A.: J. Cryst. Growth 78, 9 (1986).
• [2] Lui M. K., Ling C. C.: Semicond. Sci. Technol. 20, 1157 (2005).
• [3] McAfee K. B., Gay D. M., Hozack R. S., Laudise R. A., Schwartz G., Sunder W. A.: J. Cryst. Growth 76, 263 (1986).
• [4] Kitamura N., Kikuchi T., Kakehi M., Wada T.: Jpn. J. Appl. Phys. 123, 1534(1984).
• [5] Katsui A., Uemura C.: Jpn. J. Appl. Phys. 19, L 318 (1980).
• [6] Miyazama S., Kondo S., Naganuma M.: J. Cryst. Growth 49, 670 (1980).
• [7] Cockayne B., Steward V. M., Brown G. T., MacEwan V. R., Young M. I.: J. Cryst. Growth 58, 267 (1982).
• [8] Oliveira C. E. M., de Carvalho M. M. G.: J. Cryst. Growth 151, 9 (1995).
• [9] Stepanek B., Sestakova V., Sestak J.: Nieograniczeskie Mat. 29, 1210 (1993).