Perspektywy rozwoju scalonych układów zasilających wykonanych w technologii BCD

• Autorzy: Karyś, S.

Warianty tytułu

EN

New generation of power IC produced in BCD

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Ostatnio, zapowiada się wprowadzenie do produkcji, nowej generacji układów scalonych wykonanych w technologii BCD. Zastosowano trzy procesy w celu wytworzenia na jednym podłożu struktur typu: bipolarnego, CMOS, DMOS. Struktury typu CMOS stosuje się do budowy cyfrowych układów sterujących. Technologia DMOS umożliwia wytworzenie łączników o dużej obciążalności prądowej. W efekcie zastosowania trzech wymienionych technologii, można budować inteligentne, miniaturowe i ekonomiczne układy scalone przeznaczone do budowy zasilaczy. W przyszłości, układy scalone wykonane w oparciu o technologię BCD staną się nieodzowne w urządzeniach zasilających.

EN

Recently, new generation of power IC produced in BCD technology is announced. The three processes are implemented to produce on a single substrate: Bipolar, CMOS, and DMOS devices. Bipolar is used for analogy control devices. CMOS to from digital control circuit. DMOS forms devices that can turn on and off high currents. In result intelligent, compact and cost-effective power IC for supply system can be build. IC based on BCD technology will be indispensable in future power control.

Słowa kluczowe

PL

układy scalone; BCD; CMOS; DMOS; struktury bipolarne

EN

power IC; BCD; CMOS; DMOS; bipolar devices

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2002
• Tom: Vol. 43, nr 4
• Strony: 18-19
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Karyś, S.

• Katedra Energoelektroniki, Politechnika Świętokrzyska, Kielce,

Bibliografia

• 1. B. Murari: Smart power technology evolves to higher levels of complexity. AN447/0291 SGS -THOMSON Microelectronics 1995.
• 2. C. Contiero, P. Galbiati, M. Palmieri, L. Vecchi: LDMOS lmplementation by Large Tilt Implant in 0.6 μm BCD Process. 8th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 96) Maui, Hawaii, on 20 May 1996.
• 3. Philips Semiconductors' BCD technology. BG9809 Philips 1998.
• 4. I. Bansaku, N. Aoike, D. Maisl: Power IC Technology for Automotve Applications. Power Electronics 4/2001.