Opracowanie technologii i konstrukcji tranzystorów HFET oraz diod Schottky'ego na bazie heterostruktur AIII-N/SiC, przeznaczonych do pracy w zakresie b.w.cz.

Tłaczała, M.; Paszkiewicz, R.; Paszkiewicz, B.; Boratyński, B.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Artykuł - szczegóły

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2006 | Vol. 47, nr 9 | 16-20

Tytuł artykułu

Opracowanie technologii i konstrukcji tranzystorów HFET oraz diod Schottky'ego na bazie heterostruktur AIII-N/SiC, przeznaczonych do pracy w zakresie b.w.cz.

Autorzy

Tłaczała, M. , Paszkiewicz, R. , Paszkiewicz, B. , Boratyński, B.

Warianty tytułu

Design of technology and fabrication process of AIII-N/SiC heterostructures HFET transistors and Schottky diodes for microwave application

Języki publikacji

Abstrakty

Przedstawiono ofertę grupy badawczej Wydziału Elektroniki Mikrosystemów I Fotoniki Politechniki Wrocławskiej, kierowanej przez Marka Tłaczałę, na opracowanie technologii i konstrukcji tranzystorów HFET i diod Schottky'ego na bazie heterostruktur AIII-N/SiC, przeznacz-nych do pracy w zakresie b.w.cz. Omówiono główne założenia i cele projektu. Przedstawiono oczekiwane rezultaty jego realizacji. Pokazano uwarunkowania technologiczne (urządzenia i laboratoria) oraz oprogramowanie i techniki charakteryzacji umożliwiające podjęcie realizacji projektu.

This paper presents the offer formulated by research group of the Faculty of Microsystem Electronics and Photonic of Wroclaw University of Technology, headed by Marek Tłaczala, for the design of technology and fabrication process of AIII-N/SiC heterostructures HFET transistors and Schottky diodes for microwave application. The main assumption and goals of the project are given. The anticipated results are discussed. The main technological facilities (systems and clean rooms) as well as the software and measurements techniques intended for the realization of the project are presented.

Słowa kluczowe

AIII-N/SiC heteroepitaksja diody Schottky'ego tranzystor polowy na bazie heterostruktury (HFET)

AIII-N/SiC heteroepitaxy Schottky diode heterostructure field effect transistor (HFET)

Wydawca

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Rocznik

2006

Tom

Vol. 47, nr 9

Strony

16-20

Opis fizyczny

il.

Twórcy

autor

Tłaczała, M.

autor

Paszkiewicz, R.

autor

Paszkiewicz, B.

autor

Boratyński, B.

Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

Bibliografia

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikatory

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BWA1-0013-0011