Optical studies of MOVPE grown GaN layers

• Autorzy: Ciorga, M. , Jezierski, K. , Bryja, L. , Misiewicz, J. , Paszkiewicz, R. , Korbutowicz, R. , Panek, M. , Paszkiewicz, B. , Tłaczała, M. , Trabjerg, I.
• Konferencja: The International Conference on Solid State Crystals '98 (ICSSC '98) ; (12.09-16.09.1998) ; Zakopane, Poland
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Photoluminescence and reflectance studies of MOVPE grown GaN samples were performed. From reflectance measurements optical constants were calculated by means of Kramers-Kronig analysis in the energy region 0-6 eV.

Słowa kluczowe

EN

GaN; MOVPE; photoluminescence; reflectance; Kramers-Kronig analysis

• Czasopismo: Opto-Electronics Review
• Rocznik: 1999
• Tom: Vol. 7, No. 2
• Strony: 93-95
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz.

Twórcy

autor

Ciorga, M.

autor

Jezierski, K.

autor

Bryja, L.

autor

Misiewicz, J.

autor

Paszkiewicz, R.

autor

Korbutowicz, R.

autor

Panek, M.

autor

Paszkiewicz, B.

autor

Tłaczała, M.

autor

Trabjerg, I.

• Wrocław University of Technology, Institute of Physics, 27 Wybrzeże Wyspiańskiego Str., 50-370 Wrocław, Poland