Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Czasopismo
1998 | Vol. 31, No. 3/4 | 425-428
Tytuł artykułu

Optoelectronic properties controlled by an electric field in thin films

Warianty tytułu
Konferencja
Seminar on Surface and Thin Film Structures (5 ; 23-26.09.1997 ; Ustroń, Poland)
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
Electron emission properties of semiconducting films (In₂O₃:Sn) and metallic films (Ti) os thickness 10÷ 100 nm were investigated. the films were deposited by ractive ion sputtering on a glass substrate of thickness 0.2mm. The oposite of the substrate (with a field electrode evaporated onto it) was biased by negative voltage. This created transverse electric field which favoured electron emission into the vacuum. The investigation was performed in the vacuum of the order 10⁻⁸ hPa. Electron emission yield dependence on the intensity of an internal field and illumination were measured. It was shown that the emission yield for semiconducting films depends exponentilly on field intensity. The field influence on photoemission was also found. For metallic films the field effect on emission phenomena was found to be significantly smaller. Measurements of electronics energy in field inducted emission for both types of investigated emiters showed that about 80% of electrons have energy up to eV but some electrons (a few percent) of energy about 50 eV are also detected.
Słowa kluczowe
Wydawca

Czasopismo
Rocznik
Strony
425-428
Opis fizyczny
Bibliogr. 8 poz.
Twórcy
autor
autor
  • Institute of Physics, Pedagogical Universit,y al. Armii Krajowej 13/15, 42-201 Częstochowa, Poland
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA1-0001-0280
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.