Model odcinkowo-liniowy przekształtnika klasy C zbudowany na tranzystorze MOSFET przy sterowaniu prostokątnym

• Autorzy: Grzesik, B. , Stenzel, T.

Warianty tytułu

EN

Piecewise linear model of resonant converter class C in active region of value

• Konferencja: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. ENiD '99/sympozjum (V ; 1999)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Praca poświęcona jest modelowi odcinkowo-liniowemu przekształtnika rezonansowego klasy C. Model obejmuje dwa zakresy pracy: I - praca w obszarze aktywnym zaworu oraz II - praca obejmująca obszar aktywny i rezystancyjny zaworu. Ustalono optymalne parametry przekształtnika, zasilania, sterowania i obciążenia, przy założeniu pełnego wykorzystania zaworu pod względem napięciowym, prądowym oraz ze względu na dopuszczalną moc strat. W warunkach optymalnych sprawność wynosi 92,3% (w drugim zakresie pracy).

EN

The work deals with piecewise linear model of resonant converter of Class C built on MOSFET transistor with rectangular driving. The model is valued for two modes of operation. In the first one (I) transistor works in the active area while in the second mode (II) it operates alternatively in active and resistive areas. The optimum parameters of the converters, i.e., supplying voltage, control and load have been obtained as the result of the analysis of the model. These optimum parameters ensure transistor operation with rated voltage, rated current and admissible power losses. The theoretical efficiency of the converter with optimum parameters is 92.3% and is obtained in the second mode of operation.

Słowa kluczowe

PL

przekształtnik rezonansowy; tranzystor MOSFET

• Czasopismo: Zeszyty Naukowe. Elektryka / Politechnika Śląska
• Rocznik: 1999
• Tom: z. 170
• Strony: 103-112
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz.

Twórcy

autor

Grzesik, B.

autor

Stenzel, T.

• Instytut Elektrotechniki Teoretycznej i Przemysłowej Politechnika Śląska 44-100 Gliwice, ul. Akademicka 10 tel. [phone],