Operation of arsenide diode lasers at elevated temperatures

• Autorzy: Czyszanowski, T.
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Some design modification and optimisation of the GaAs/(AlGa)As separate-confinement-heterostructure (SCH) as well as the graded-index separate-confinement-heterostructure (GRIN-SCH) semiconductor lasers are discussed to reduce their threshold concentrations at elevated temperatures. A detailed optical model of arsenide lasers is used to compare an impact of some structural details on lasing thresholds at various temperatures. In the analysis, both optical gain and losses are modelled rigorously. It has been demonstrated that operation of the arsenide lasers considered is not changing dramatically at elevated temperatures not exceeding 400 K.

Słowa kluczowe

PL

związki glinu; arsenek galu; III-V półprzewodnik; półprzewodniki III-V; wiązka laserowa; straty optyczne; laser półprzewodnikowy; laser; laser falowodowy

EN

aluminium compounds; gallium arsenide; gradient index optics; III-V semiconductors; laser beam; optical losses; optimisation; semiconductor laser; waveguide laser

• Czasopismo: Optica Applicata
• Rocznik: 2001
• Tom: Vol. 31, nr 2
• Strony: 301-311
• Opis fizyczny: bibliogr. 12 poz.

Twórcy

autor

Czyszanowski, T.

• Instytut Fizyki Politechniki Łódzkiej, ul.Wólczańska 219,93-005 Łódź