High-performance 980-nm strained-layer InGaAs/GaAs quantum-well lasers

• Autorzy: Bugajski, M. , Regiński, K. , Mroziewicz, B. , Kubica, J.M. , Sajewicz, P. , Piwoński, T. , Zbroszczyk, M.
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Reports fabrication of strained-layer InGaAs/GaAs separate-confinement-heterostructure single-quantum-well (SCH SQW) lasers operating in the wavelength range of 980 nm. Design process of the devices involved simulation of their above-threshold operation including all relevant physical phenomena. The lasers were characterized at room temperature in the pulsed operation regime at frequency v=5 kHz and pulse length tau =200 ns. Threshold current densities of the order J/sub th/=280 A/cm/sup 2/ and differential efficiency eta =0.40 W/A were obtained for devices with cavities of 700 mu m in length and broad contacts of 100 mu m in width

Słowa kluczowe

PL

laser; gęstość prądu; arsenek galu; półprzewodniki III-V; III-V półprzewodnik; związki indu; wiązka laserowa; laser o studni kwantowej

EN

current density; gallium arsenide; III-V semiconductors; indium compounds; laser beams; quantum well laser

• Czasopismo: Optica Applicata
• Rocznik: 2001
• Tom: Vol. 31, nr 2
• Strony: 267-271
• Opis fizyczny: bibliogr. 3 poz.

Twórcy

autor

Bugajski, M.

autor

Regiński, K.

autor

Mroziewicz, B.

autor

Kubica, J.M.

autor

Sajewicz, P.

autor

Piwoński, T.

autor

Zbroszczyk, M.

• Institute of Electron Technology, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa Title