Numerical calculation of electron density distribution in modulation-doped GaAs/AlGaAs heterostructures

Szymański, M.; Zbroszczyk, M.

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Artykuł - szczegóły

Czasopismo

Optica Applicata

2002 | Vol. 32, nr 3 | 529-534

Tytuł artykułu

Numerical calculation of electron density distribution in modulation-doped GaAs/AlGaAs heterostructures

Autorzy

Szymański, M. , Zbroszczyk, M.

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma

http://opticaapplicata.pwr.edu.pl/

Warianty tytułu

Języki publikacji

Abstrakty

Electron density distribution in GaAs/AlGaAs heterostructure is calculated. In addition, the diagram of the conduction band edge is presented. The results were obtained through the self-consistent solution of one-dimensional Schrödinger–Poisson equations. For numerical calculations the finite-difference method with non-uniform mesh has been used.

Słowa kluczowe

Wydawca

Czasopismo

Optica Applicata

Rocznik

2002

Tom

Vol. 32, nr 3

Strony

529-534

Opis fizyczny

bibliogr. 6 poz.

Twórcy

autor

Szymański, M.

autor

Zbroszczyk, M.

Institute of Electron Technology, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

Bibliografia

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikatory

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BPW1-0013-0079