Oddziaływanie modyfikowanego tlenku bizmutu na mikrostrukturę warystora

• Autorzy: Warycha, J. , Mielcarek, W , Prociów, K.

Warianty tytułu

EN

Modified bismuth oxide influence on waristor microstructure

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Niezawodna oraz niezakłócona praca urządzeń elektroenergetycznych i elektronicznych jest osiągana głównie przez zastosowanie odpowiednich elementów ochrony przepięciowej takich jak ograniczniki a przede wszystkim przez zawarte w nich warystory tlenkowe. Warystory tlenkowe to elementy ceramiczne, których głównym składnikiem są ziarna tlenku cynku otoczone warstwą amorficzną bogatą w tlenek bizmutu oraz produkty reakcji pozostałych tlenków metali z ZnO. Tajemnicą osiągania dobrych właściwości elektrycznych warystorów jest homogeniczność mikrostruktury. W tej pracy zaprezentowano możliwość osiągania jednorodnej mikrostruktury przez modyfikację Bi2O3 wybranymi tlenkami metali takimi jak: Al2O3, SiO2, PbO, MnO, Sb2O3, SnO2. Najlepsze wyniki osiągnięto stosując Sb2O3 i SnO2 jako modyfikatory tlenku bizmutu.

EN

Safe and reliable operation of electroenergetic and electrical devices is achieved by application of suitable surge arresters which consist of oxide varistors. Oxide varistors which are ceramic elements, compose of zinc oxide grains surrounded by amorphous layer rich in bismuth oxide and products of reaction of the remained metal oxides with ZnO. The good varistor electrical properties result from the homogeneity of their microstructure. The present paper shows that one possible way how to achieve the homogonous microstructure is to modify Bi2O3 with selected metal oxides such as Al2O3, SiO2, PbO, MnO, Sb2O3, SnO2. The best results were achieved with Sb2O3 and SnO2 bismuth oxide modifiers.

Słowa kluczowe

PL

warystor; ZnO; mikrostruktura; modyfikacja Bi2O3

• Czasopismo: Prace Instytutu Elektrotechniki
• Rocznik: 2009
• Tom: Z. 242
• Strony: 39-59
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Warycha, J.

autor

Mielcarek, W

autor

Prociów, K.

• Instytut Elektrotechniki, Oddział Technologii i Materiałoznawstwa Elektrotechnicznego we Wrocławiu, Pracownia Badań Strukturalnych,

Bibliografia

• 1. Eda K.: Zinc oxide varistors. IEEE Electr. Insul. Mag. 5 [6], str. 28-41, 1989.
• 2. Hohenberger G., Tomandl G., Ebert R., Taube T.: Inhomogeus conductivity in varistor ceramics methods of investigation. J. Am. Ceram. Soc. 74 [9], str. 2067-72, 1991
• 3. Levinson L. M., Philipp H. R.: Conduction mechanisms in metal oxide varistors. J. Solid State Chem. 12 [3-4], str. 292, 1975
• 4. Levinson L. M., Philipp H. R.: The physics of metal oxide varistors. J.Appl. Phys. 46 [3], str. 1332- 41, 1975
• 5. Olsson E., Dunlop G.L.: The effect of Bi2O3 content on the microstructure and electrical properties of ZnO varistor materials. Department of Physics. Chalmers University of Technology. Goteborg S-412 96