A statistical circuit design in submicron VLSI MOS device

• Autorzy: Rybarczyk, A. , Szulc, M. , Bajorski, P.
• Języki publikacji: EN

Słowa kluczowe

PL

projktowanie obwodów; scalenie bardzo dużego stopnia; układ komplementarny MOS

EN

statistical circuit design; VLSI; MOS device; CMOS

• Czasopismo: Foundations of Computing and Decision Sciences
• Rocznik: 2002
• Tom: Vol. 27, No. 3
• Strony: 141-156
• Opis fizyczny: Bibliogr. 21 poz.

Twórcy

autor

Rybarczyk, A.

autor

Szulc, M.

autor

Bajorski, P.

• Poznań University of Technology, Faculty Computer Science and Management, Institute of Control and Systems Engineering, ul.Piotrowo 3a, 60-965 Poznań, tel.: [phone], fax: [phone],