Czasopismo
2009
|
R. 85, nr 11
|
83-86
Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Warianty tytułu
Testing of the optical radiation detectors in wide temperature range
Konferencja
Krajowa Konferencja "Diagnostyka techniczna urządzeń i systemów" - DIAG'2009 (7 ; 19-23.10.2009 ; Ustroń, Polska)
Języki publikacji
Abstrakty
Praca jest poświecona badaniom detektorów promieniowania optycznego. Detektory IR, VIS i UV są szeroko stosowane w badaniach naukowych, w różnych dziedzinach przemysłu oraz w zastosowaniach militarnych. Detektory promieniowania optycznego optyczne możemy podzielić na detektory termiczne i fotonowe. W pracy przedstawiono system pomiarowy do charakteryzacji elektrycznej i optycznej detektorów półprzewodnikowych w szerokim zakresie temperatury. W artykule przedstawiono również przykładowe wyniki pomiarów.
The work is aimed on measurements of optical radiation detectors. IR, VIS and UV detectors are used in scientific research, industrial, and military applications. UV detectors are classified as either photon or thermal detectors, depending on the mechanism of detection. In this paper is presented measurement system for electric and optical characterization semiconductor photodetectors in wide range temperature. In this paper are presented selected measurement results, too.
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
83-86
Opis fizyczny
Bibliogr. 8 poz., rys., wykr., schem.
Twórcy
autor
autor
- Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki, ul. Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa, jcwirko@wel.wat.edu.pl
Bibliografia
- [1] Bielecki Z., Rogalski A.: Detekcja sygnałów optycznych. Wydawnictwo Naukowo-Techniczne, Warszawa 2001
- [2] Ziętek B.: Optoelektronika. Wydawnictwo Uniwersytetu Mikołaja Kopernika, Toruń 2005
- [3] Brown D. M., Downey E., Kretchmer J., Michon G., Shu E., Schneider D.: SiC flame sensor for Gas turbine control systems. Solid-State Electronics, vol. 42, no. 5, pp. 755-760, 1998.
- [4] Szweda R.: GaN and SiC detectors for radiation and medicine. III-Vs Review. The Advanced Semicondutor magazine. vol. 18, no.7, September/October, 2005, pp. 40-41
- [5] Yan F., Zhao J. H., Olsen H. G., Demonstration of the first 4H-SiC avalanche photodiodes. Solid-State Electronics 44 (2000), pp. 341-346
- [6] Morkoç H. : Potential applications of III-V nitride semiconductors. Material Science and Engineering B43 (1997), pp. 137-146
- [7] Ueda Y., Akita S., Nomura Y., Nakayama Y. , Naito H.: Study of high temperature photocurrent of 6H-SiC UV sensor. Thin Solid Films 517 (2008), pp. 1471-1473
- [8] Li M., Anderson W. A.: Si-based metal-semiconductormetal photodetectors with various design modifications. Solid- State Electronics 51 (2007), pp. 94-101
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPOM-0018-0014