Technika linearyzacji niskoszumnego wzmacniacza mikrofalowego metodą superpozycji pochodnej

• Autorzy: Susek, W. , Stec, B.

Warianty tytułu

EN

Derivative superposition linearisation technique fot MESTET low-noise microwave amplifier

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono model tranzystora MESFET ze względu na analizę produktów intermodulacyjnych (IMD) wzmacniacza mikrofalowego. Omówiono sposób linearyzacji elementu aktywnego wykorzystujący metodę superpozycji pochodnej w zastosowaniu do tranzystorów MESFET tego samego typu. Zaprezentowano rozwiązanie układowe niskoszumnego wzmacniacza mikrofalowego o dużej liniowości oraz jego charakterystyki otrzymane na drodze symulacji.

EN

A procedure for active element linearization via derivative superposition used for MESFET transistors is discussed in the paper. A method for description of transient characteristics of microwave field MESFET transistors, other than classic one, is presented. A solutions of a circuit for a microwave amplifier of high linearity and its characteristics obtained via simulation are also shown.

Słowa kluczowe

PL

wzmacniacz mikrofalowy; telekomunikacja; zniekształcenia harmonicznych; linearyzacja

EN

telecomunications; microwave amplifier; harmonic distortions; linearization

• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2010
• Tom: R. 86, nr 3
• Strony: 262-266
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Susek, W.

autor

Stec, B.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Radioelektroniki, ul. Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa,

Bibliografia

• [1] Dobrowolski J., Projektowanie mikrofalowych wzmacniaczy z tranzystorami MESFET, WNT, Warszawa, 1991r.
• [2] Aparin V., Lar son L.E., Analysis and reduction of cross modulation distortion in CDMA receivers, IEEE Trans. Microwave Theory Techn., vol. 51, no. 5, 2003
• [3] Youn Y. -S. et al., A 2 GHz 16 dBm IIP3 Low Noise Amplifier in 0.25um CMOS Technology, IEEE ISSCC, 452-453, 2003.
• [4] Watanabe G. et al., IP3 boost circuitry for highly linear CDMA low noise amplifiers (LNA), Asia Pacific Microwave Conf, Dec. 3-6, 2000
• [5] Maas A. S., Neilson D., Modeling MESFET’s for intermodulation analysis of mixers and amplifiers, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 38, No. 12, 1990
• [6] Maas A. S., Crosmun A., Modeling the gate I/V characteristic of GaAs MESFET for Volterra-Series Analysis, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 37, no. 7, 1989
• [7] Webster D.R., Haigh D, Scot t J.B., Par ker A.E., Derivative superposition – a linearisation technique for ultra broadband systems, IEE Wideband Circuits, Modeling, Technology Colloq., pp. 3/1-3/14, May 1996
• [8] Aparin V., Larson L.E., Modified derivative superposition method for linearizing FET low-noise amplifiers, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 53, No. 2, 2005