Czasopismo
2010
|
R. 86, nr 7
|
272-275
Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Warianty tytułu
Producing of gas sensitive semiconductor structures based on Indium oxide thin films and their physicochemical properties
Języki publikacji
Abstrakty
Opracowano technologię wytwarzania czujników gazów na podstawie cienkich warstw półprzewodnikowych InO wytwarzanych magnetronowym rozpylaniem indu i jego utlenianiem termicznym. Metodami dyfrakcji elektronów SEM, AES, ESCA zbadano strukturę składu i morfologię powierzchni. Określono warunki wytwarzania warstw o wysokiej czułości i selektywności w stosunku do gazów NO2 oraz NH3.
In this work the technology of produced of gas sensitive semiconductor structures based on Indium oxide thin films by magnetron sputtering of Indium with the subsequent thermal oxidation is developed. Structure, phase structure, morphology of a surface and a chemical composition of received films have been investigated by methods of electron diffraction, SEM, AES, ESCA. Conditions of formation In2O3 films with high sensitivity and selectivity to NO2, and NH3 are established.
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
272-275
Opis fizyczny
Bibliogr. 2 poz., rys., wykr.
Twórcy
autor
autor
autor
- Bielaruskij Gosudarstvennyj Technologiceskij Universitet ul. Serpova 13a Minsk, Luhin Valery@mail.ru
Bibliografia
- [1] Luhin V., Zarapin V., Zharsky I.M., Zukovski P., Kolasik M., Kozak C. : Zastosowanie sensorów termoelektrycznych do analizy gazów, Elektronika №6 (2008), 262-264
- [2] Лугин В. Г., Жарский И. М., Жуковски П., Партыка Я. : Использование термоэлектрических эффектов тонких полупроводниковых пленок для создания химических газовых сенсоров, Przegląd Elektrotechniczny №3 (2008), 174-177
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPOC-0057-0084