Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
2012 | R. 88, nr 2 | 48-50
Tytuł artykułu

Zaburzenia generowane w przetwornicy impulsowej o wysokiej częstotliwości przełączania zawierającej diodę z węglika krzemu

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Warianty tytułu
EN
Disturbances generated in a switched mode power converter containing a silicon carbide diode
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Artykuł przedstawia wyniki badań zaburzeń przewodzonych powstających w impulsowej przetwornicy podwyższającej napięcie, w której użyta została unipolarna dioda mocy z węglika krzemu. Przeanalizowano wpływ częstotliwości i szybkości przełączania układu na widmo zaburzeń elektromagnetycznych, a także na sprawność energetyczną. Wyniki porównano z uzyskanymi w tym samym układzie po zastosowaniu bipolarnej diody krzemowej (PIN).
EN
The paper presents investigation results of conducted disturbances arising in a switched mode boost power converter in which a unipolar diode made of silicon carbide has been used. The effect of circuit switching frequency and speed on electromagnetic disturbance spectrum as well as on efficiency has been analysed. Results have been compared to ones obtained in the same circuit after applying a bipolar silicon diode (PIN).
Wydawca

Rocznik
Strony
48-50
Opis fizyczny
Bibliogr. 7 poz., rys., tab., wykr.
Twórcy
autor
autor
  • Politechnika Łódzka, Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych, ul. Wólczańska 221/223 bud. B18, 90-924 Łódź, starzak@dmcs.p.lodz.pl
Bibliografia
  • [1] Rąbkowski J., Barlik R., Nowak M., Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu (SiC) i ich zastosowania w energoelektronice, Przegląd Elektrotechniczny, 82 (2006), nr 11, 1–8.
  • [2] Friedrichs P., SiC power devices for industrial applications, International Power Electronics Conf. (2010), 3241–3248.
  • [3] Napieralski A., Napieralska M., Polowe półprzewodnikowe przyrządy dużej mocy, WNT (1995).
  • [4] Kolar J. et al., PWM Converter Power Density Barriers, Power Conversion Conference PCC (2007), 9–29.
  • [5] Janicki M., Makowski D., Kędziora P., Starzak Ł., Jabłoński G., Bek S., Improvement of PFC boost converter energy performance using silicon carbide diode, International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES (2006), 615–618.
  • [6] Spiazzi G. et al., Performance evaluation of a Schottky SiC power diode in a boost PFC application, IEEE Trans. Power Electr., 18 (2003), no. 6, 1249–1253.
  • [7] Bek S., Poźniak T., Jabłoński G., Starzak Ł., Zagadnienia filtracji harmonicznych w układach aktywnej korekcji współczynnika mocy, Krajowe Sympozjum Kompatybilność Elektromagnetyczna w Elektrotechnice i Elektronice EMC’05 (2005), 155–164.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPOB-0050-0016
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.