Tyrystory polowe sterowane bramkami MOS

• Autorzy: Januszewski, S. , Kociszewska-Szczerbik, M.

Warianty tytułu

EN

MOS-gate controlled field-effect thyristors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Scharakteryzowano rodzaje i ogólne właściwości tyrystorów polowych.Omówiono tyrystory sterowane bramkami MOS (MCT), z przełączanym emiterem (EST) oraz sterowane rezystancją bazy (BRT). Przedstawiono zalety i wady tyrystorów polowych oraz perspektywy ich rozwoju.

EN

Kinds and general properties of field-effect thyrystors are characterized Discussed are MOS-gate controlled thyristors (MCT), emitter-switch thyristors (EST) and base-resistance controlled thyristors (BRT). Merits and disadvantages of the field-effect thyristors as well as prospects of their future development are presented.

Słowa kluczowe

PL

tyrystory polowe; bramki MOS

• Czasopismo: Wiadomości Elektrotechniczne
• Rocznik: 1998
• Tom: nr 6
• Strony: 354-363
• Opis fizyczny: Bibliogr. 20 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Januszewski, S.

• Instytut Elektrotechniki

autor

Kociszewska-Szczerbik, M.

• Instytut Elektrotechniki

Bibliografia

• [1] AJIT J.S., KINZER D.M.: New MOS-Gate Controlled Thyristor MGCT. Symposium ISPSD '95. Yokohama 1995
• [2] BALIGA B.J.: Power Semiconductor Devices. PWS Publishing Company. Boston 1996
• [3] HUANG A.Q. i in.: Analysis of 4500 V Double Trench MOS Controlled Thyristor. Symposium ISPSD '95. Yokohama 1995
• [4] IWAMURO N. i in.: 2nd Generation Dual Gate MOS Thyristor. Symposium ISPSD '96. Hawaii 1996
• [5] IWAMURO N. i in.: 1200 V MCCT: A New Concept Three Terminal MOS-Gated Thyristor. Symposium ISPSD '97. Weimar 1997
• [6] JANUSZEWSKI S., ŚWIĄTEK H.: Nowoczesne przyrządy półprzewodnikowe w energoelektronice. WNT, Warszawa 1994
• [7] JANUSZEWSKI S., ZYMMER K.: Osiągnięcia i prognozy rozwoju dotyczące dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów mocy i modułów energoelektronicznych. VII Sympozjum PPEE '97. Ustroń, marzec 1997
• [8] JANUSZEWSKI S., ŚWIĄTEK H., ZYM-MER K.: Półprzewodnikowe przyrządy mocy w pytaniach i odpowiedziach. Wydawnictwo Książkowe Instytutu Elektrotechniki, Warszawa 1998
• [9] KURLAGUNDA R., BALIGA B.J.: The MOS-gated Floating Base Thyristor: A New Dual Gate Thyristor with Improved Forward Biased Sak Operating Area. Symposium ISPSD '96. Hawaii 1996
• [10] MEHROTRA M., BALIGA B.J.: The Gate MOS Controlled Thyristor with Current Saturation Capability, Symposium ISPSD „96. Hawaii 1996
• [11] NAPIERALSKI A., NAPIERALSKA M.: Polowe półprzewodnikowe przyrządy dużej mocy. WNT, Warszawa, 1995.
• [12] OTSUKI M. i in.: A Study on Current Handling Capability of Dual Gate MOS Thyristor (DC MOS). Symposium ISPSD '96. Hawaii 1996
• [13] PARTHASARATHY V. i in.: ICBRT An Isolated Channel Base Resistance Controlled Thyristor. Symposium ISPSD '95. Yokohama 1995
• [14] SAWANT S.: The Dual Gate EST: A New MOS-Gated Thyristor Structure. Symposium ISPSD '96. Hawaii 1996
• [15] SHEKAR M.S. i in.: A New Trench Gate Accumulation Mode Field Effect Emitter Switched Thyristor. Symposium ISPSD '95. Yokohama 1995
• [16] SRIDHAR S., BALIGA B.J.: The SIMEST: A New EST Structure Without Parasitic Thyristor Achieved Using SIMOX Technology. Symposium ISPSD '96. Hawaii 1996
• [17] UNTEN N., SAWANT S., BALIGA B.J: High Voltage 4 kV Emitter Switched Thyristor. Symposium ISPSD '97. Weimar 1997
• [18] VAN WYK J.D.: Present and Future Trends in Power Electronic Converters. EPE '95 Sevilla (Spain). Keynote paper
• [19] XU S. i in.: BILBRT: Bidirectional Lateral Base Resistance Controlled Thyristor. Symposium ISPSD '97. Weimar 1997
• [20] YAMAZAKI T., BALIGA B.J.: New Dual Gate - BRT Structures with Enhanced FBSOA. Symposium ISPSD’ 97. Weimar 1997