Badania temperaturowe półprzewodnikowych fotodektorów stosowanych w inżynierii bezpieczeństwa

• Autorzy: Ćwirko, J. , Ćwirko, R.

Warianty tytułu

EN

Temperature tests of semiconductor photodectors used in security systems

• Konferencja: TRANSCOMP - XIV International Conferenece Computer Systems Aided Science, Industry and Transport
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Fotodetektor jest podstawowym elementem każdego czujnika promieniowania i decyduje o jego podstawowych parametrach. Detektory UV, VIS i IR są stosowane w pracach badawczych, przemyśle i aplikacjach wojskowych oraz w systemach bezpieczeństwa. W artykule przedstawiono badania nad zależnością charakterystyk fotodetektorów półprzewodnikowych od temperatury.

EN

Photodetector is the basic element of each photo receiver and is responsible for photo receiver parameters. UV, VIS i IR detectors are used in scientific research, industrial and military applications and in security systems. The paper presents the results of study of the temperature dependences of the spectral characteristics for semiconductor photodetectors.

Słowa kluczowe

PL

systemy bezpieczeństwa; fotodektory półprzewodnikowe; stanowisko pomiarowe

EN

temperature tests; semiconductor photodectors

• Czasopismo: Logistyka
• Rocznik: 2010
• Tom: nr 6
• Opis fizyczny: Pełny tekst na CD, Bibliogr. 8 poz., rys.

Twórcy

autor

Ćwirko, J.

autor

Ćwirko, R.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki, Instytut Systemów Elektronicznych, Polska; 00-908 Warszawa; gen. S. Kaliskiego 2. Tel: [phone],

Bibliografia

• [1] Brown D. M., Downey E., Kretchmer J., Michon G., Shu E., Schneider D.: SiC flame sensor for Gas turbine control systems. Solid-State Electronics, vol. 42, no. 5, pp. 755- 760, 1998
• [2] Szweda R.: GaN and SiC detectors for radiation and medicine. III-Vs Review. The Advanced Semicondutor Magazine, vol. 18, no.7, September/October, 2005, pp. 40-41
• [3] Yan F., Zhao J. H., Olsen H. G.: Demonstration of the first 4H-SiC avalanche photodiodes. Solid-State Electronics 44 (2000), pp. 341-346
• [4] Morkoç H.: Potential applications of III-V nitride semiconductors. Material Science and Engineering B43 (1997), pp. 137-146
• [5] Bielecki Z., Rogalski A.: Detekcja sygnałów optycznych. Wydawnictwo Naukowo- Techniczne, Warszawa 2001
• [6] Ziętek B.: Optoelektronika. Wydawnictwo Uniwersytetu Mikołaja Kopernika, Toruń 2005
• [7] Ueda Y., Akita S., Nomura Y., Nakayama Y., Naito H.: Study of high temperature photocurrent of 6H-SiC UV sensor. Thin Solid Films 517 (2008), pp. 1471-1473
• [8] Fraden J.: Handbook of Modern Sensor: Physics, Designs, and Applications, Springer, Berlin, Heidelberg, New York, 2003