Rezystor aktywny CMOS oraz jego zastosowanie do budowy wzmacniacza transkonduktancyjnego

• Autorzy: Pankiewicz, B. , Solecki, M.

Warianty tytułu

EN

An active MOS resistor and its application to operational transconductance amplifier

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Rezystory aktywne są szeroko stosowane w układach analogowych. Jednym z bardzo ważnych zastosowań jest ich użycie jako elementu linearyzującego stałoprądowe charakterystyki przejściowe wzmacniacza różnicowego wykonanego w postaci pary tranzystorów MOS. W niniejszym artykule przedstawiono w pełni różnicowy, aktywny rezystor MOS. Składa się on z dwóch tranzystorów MOS oraz dwóch nieuziemionych źródeł napięciowych. Jako wykorzystanie rezystora przedstawiono zlinearyzowany wzmacniacz transkonduktancyjny OTA (ang. Operational Transconductance Amplifier). Wymienione układy zostały zaprojektowane jak również fizycznie wykonane w technologii AMS CMOS 0,8 [mi]m. W pracy przedstawiono opis teoretyczny, wynik symulacji komputerowych jak również wyniki pomiarowe układu prototypowego.

EN

Active MOS resistors are widely used especially in analogue circuits. One of the very important application of such element is the linearisation of transfer characteristics of transconductance amplifiers built of differential MOS pairs [1,2]. In this paper a differential active MOS resistor is developed. It consists of two MOS devices and two f1oating voltage sources. As an application, a fully differential operational transconductance amplifier is presented (OTA). The proposed OTA circuit was designed and fabricated using the O.8 [mi]m CMOS process (CYE AMS). Theoretical, simulation and measurement results are presented and compared.

• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
• Rocznik: 2004
• Tom: T. 5
• Strony: 851-857
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz., 4 rys., 1 rys.

Twórcy

autor

Pankiewicz, B.

• Katedra Systemów Mikroelektronicznych, Wydział Elektroniki Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej

autor

Solecki, M.

• Katedra Systemów Mikroelektronicznych, Wydział Elektroniki Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej

• Katedra Systemów Mikroelektronicznych, Wydział Elektroniki Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej

Bibliografia

• [1] R. R. Torrance, T. R. Viswanathan and J. V. Hanson, "CMOS voltage to current transducers", IEEE Transactions on Circuits and Systems, Vol. CAS-32, No 11, pp. 1097-1104, November 1985.
• [2] Geiger R.L., Allen P. E. and Strader N. R., "VLSI design techniques for analog and digital circuits", McGraw-Hill 1990, pp. 178-179, 308-309.
• [3] ispPAC™ 10 technical data sheet, Lattice Semiconductor Corporation, Oregon 97124, USA, March 2000.