Nowy, dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego

• Autorzy: Kordalski, W. , Polowczyk, M. , Czerwiński, J. , Dzierżko, J. , Dobrzański, L.

Warianty tytułu

EN

A new two-drain mos transistor as a magnetic field sensor

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule zaprezentowano nową koncepcję tranzystora typu MOS z dwoma poziomo usytuowanymi drenami, który może być wykorzystany jako czujnik pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych. Na podstawie wyników pomiarowych dostępnych w literaturze przedmiotu można wykazać, że przewidywana czułość proponowanego czujnika może być ok. 1000 razy większa niż czułość znanych i cenionych czujników wykorzystujących tranzystory MAGFET. Czujnik według nowej konstrukcji ma niezwykle małe wymiary i absorbuje małą moc. Artykuł składa się z krótkiego wstępu, opisu zasady działania nowego czujnika, oszacowania wrażliwości czujnika na pole magnetyczne oraz konkluzji.

EN

A novel, two-drain MOS transistor as a very sensitive magnetic field sensor is proposed. The sensor exploits the galvanomagnetic effect due to the Lorentz force on charge carriers in the transistor channel.

• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
• Rocznik: 2004
• Tom: T. 5
• Strony: 815-824
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., 5 rys.

Twórcy

autor

Kordalski, W.

• Katedra Systemów Mikroelektronicznych, Politechnika Gdańska

autor

Polowczyk, M.

• Katedra Systemów Mikroelektronicznych, Politechnika Gdańska

autor

Czerwiński, J.

• Commonet, Gdańsk

autor

Dzierżko, J.

• Commonet, Gdańsk

autor

Dobrzański, L.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

• Katedra Systemów Mikroelektronicznych, Politechnika Gdańska

Bibliografia

• [1] Kordalski W., Polowczyk M., Czerwiński J., Dzierżko J. Dobrzański L.: Urządzenie do pomiaru i/lub detekcji pola magnetycznego, Zgłoszenie patentowe P346093 z dnia 22.02.2001r.
• [2] Kordalski W.: Dwubramkowy tranzystor polowy typu MOS z kanałem indukowanym, patent RP nr.185178 (30.10.2002).
• [3] Yamaguchi K.: Field-Dependent Mobility Model for Two-Dimensional Numerical Analysis of MSFETs, IEEE Trans, on Electron Devices, Vol. ED-26, No 7, 1979.
• [4] Selberherr S.: Analysis and Simulation of Semiconductor Devices, Wien, Springer-Verlag, 1984.
• [5] Kordalski W.: Two-Dimensional Effects in the MOSFET, Proc. of the XIX-th National Conference on Circuit Theory and Electronic Networks, Kraków-Krynica, Poland, 1996, Vol. H, pp. 239-244.
• [6] Kobus A., Tuszyński J., Warsza Z.L.: Technika hallotronowa, WNT, Warszawa, 1980.
• [7] Kirijew P. S.: Fizyka półprzewodników, WNT, Warszawa, 1971.
• [8] Popović R.S., Baltes H.P.: A CMOS Magnetic Field Sensor, IEEE J. of Solid-State Circuits, Vol. SC-18, No.4, 1983.
• [9] Baltes H.P., Popović R.S.: Integrated Semiconductor Magnetic Field Sensor, Proceedings of the IEEE, Vol. 74, No 8,1986 pp.1107-1132.
• [10] Tomaszewski D., Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa, Symulacje za pomocą ATLASA - informacja prywatna