Czasopismo
Tytuł artykułu
Warianty tytułu
Small-signal model for the MAGFET
Języki publikacji
Abstrakty
Wyprowadzono małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET pracującego jako czujnik pola magnetycznego, w którym uwzględniono wzajemne oddziaływanie napięć drenów. Wykorzystując nowoopracowany model obliczono czułość napięciową typowego układu pracy MAGFET-a na pole magnetyczne.
Small-signal model for the MAGFET, in which mutual interaction between drain voltages is taken into account, is derived and a discussion of obtained results is presented.
Słowa kluczowe
Rocznik
Tom
Strony
501-506
Opis fizyczny
Bibliogr. 4 poz., rys.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
- Politechnika Gdańska
Bibliografia
- [1] Baltes H. and Popovic R.: Integrated semiconductor magnetic field sensor, Proceedings of the IEEE, vol. 74, no. 8, pp. 1107-1132, Aug. 1986.
- [2] Liu S. I., Wei J. F. and Sung G. M.: SPICE macro model for MAGFET and its applications, IEEE Trans. on Circuits and System-II: Analog and Dig. Signal Processing, vol. 46, no 4, pp. 370-375, April 1999.
- [3] Kordaiski W., Polowczyk M., Czerwiński J., Dzierżko J. Dobrzański L.: Urządzenie do pomiaru i/lub detekcji pola magnetycznego, Patent PL 195809 (zgłoszenie P346093 z dnia 22.02.2001r.).
- [4] KordaIski W., Boratyński B., Zborowska-Lindert I., Panek M., Ściana B., Tłaczała M.: Czujnik pola magnetycznego typu MagFET", Zgłoszenie patentowe P.381793 z dnia 20.02.2007 r.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPG4-0036-0045