Modele symulacyjne tranzystora IGBT w środowisku PSPICE i TCad - analiza porównawcza

• Autorzy: Władziński, W. , Chrzan, P.J.

Warianty tytułu

EN

IGBT model for simulation using PSPICE and TCad software - comparative analysis

• Konferencja: Zastosowanie komputerów w nauce i technice 2001. Cykl seminariów zorganizowanych przez Oddział Gdański PTETiS (11 ; 2001 ; Gdańsk, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawione są modele symulacyjne tranzystora IGBT reprezentujące fizyczne podstawy działania przyrządu uzyskane w oparciu o bibliotekę programu PSpice oraz przy wykorzystaniu obwodowych schematów elementów programu TCad. Wyniki symulacji w układzie z tranzystorem kluczującym ilustrują przebiegi włączania i wyłączania tranzystora przy obciążeniu rezystancyjnym. Analiza porównawcza procesów komutacji i charakterystyk statycznych modeli powyższych symulatorów daje ocenę ich zbieżności i dokładności.

EN

In this article the IGBT transistor models for simulation are described. IGBT model in the PSpice environment is based on physical device equations using library resources, while in the TCad software a circuit oriented modelling is applied. Simulation results of the transistor switching circuit depict turn-on and turn-off waveforms at the resistive load. Comparative analysis of commutations transients and static characteristics is given to evaluate convergence and precisions of models resulting from the above simulators.

• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
• Rocznik: 2001
• Tom: Nr 17
• Strony: 269--274
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., 8 rys.

Twórcy

autor

Władziński, W.

• Politechnika Gdańska, WEiA, KEiME, ul. Sobieskiego 7,80-216 Gdańsk tel: [phone] fax: [phone],

autor

Chrzan, P.J.

• Politechnika Gdańska, WEiA, KEiME, ul. Sobieskiego 7,80-216 Gdańsk tel: [phone] fax: [phone]

Bibliografia

• 1. MicroSim Corporation: Users Manual Version 8.0 June 1997.
• 2. Kraus R., Hoffmann K., Turkes P.: Analysis and modelling of the technology dependent electrothermal IGBT characteristics. Proceedings IPEC’95 Yokohama Japan
• 3. Hefner A.R.Jr.: Modelling buffer layer IGBTs for circuit simulation. IEEE Trans. On Power Electronics, vol. 10, no 2 march 1995 pp. 111-123.
• 4. Pawelski W., „Nowy model tranzystora IGBT dla symulatorów środowiska SPICE”, Modelowanie i Symulacja ‘2000, Kościelisko 2000, pp. 261-268
• 5. Bonafe T., El Baroudi S., Bernot F., Berthon A.: IGBT model for power electronics simulation, Proceedings EPE’95 Sevilla Spain 1995, vol. 1 pp. 141-145.
• 6. Nieznański J., Iwan K., Szczęsny R., Ronkowski M.: TCad for Windows High performance power electronic simulation software, Softech Gdańsk 1996.
• 7. Szczęsny R., Chrzan P.J., Iwan K.: Zastosowanie technik komputerowych w symulacji i projektowaniu układów przekształtnikowych. Przegląd Elektrotechniczny 2000. nr 2, s. 30-34.
• 8. Lembeye Y., Schanen J.L., Keradec J.P.: Experimental charactenzation of insulated gate power components: capacitive aspects, IEEE Industry Applications Society (IAS) Annual Meeting, New Orleans, Louisiana, October 5-9, 1997 pp. 983-988.