Model struktury defektów w tlenku CuO

• Autorzy: Migdalska, M. , Grzesik, Z.

Warianty tytułu

EN

Defect structure model of CuO oxide

• Konferencja: Ogólnopolskie Sympozjum Naukowo-Techniczne "Nowe osiągnięcia w badaniach inżynierii korozyjnej" (14 ; 25-27.11.2009 ; Jastrząb-Poraj, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W oparciu o wyniki wcześniejszych badań mechanizmu powstawania fazy CuO na powierzchni Cu2O, uzyskane metodami markerów i dwuetapowego utleniania oraz kinetyki utleniania Cu2O w funkcji temperatury i prężności tlenu, wykazano, że dominującymi defektami punktowymi w tlenku CuO są podwójnie zjonizowane wakacje kationowe. Przedstawiony w niniejszej pracy model struktury defektów uwzględnia fakt, że w zgodności z wynikami badań eksperymentalnych, stężenie defektów jonowych w omawianym tlenku, będącym samoistnym półprzewodnikiem elektronowym, rośnie z prężnością tlenu w potędze 1/2.

EN

Basing on experimental results reported previously and obtained using marker and two-stage oxidation methods as well as oxidation kinetic rates measurements, the defect structure model of CuO has been presented. It has been demonstrated that the predominant point defects in the discussed oxide, being an intrinsic electronic semiconductor are doubly ionized cation vacancies, the concentration of which increases with oxygen activity with power 1/2.

Słowa kluczowe

PL

CuO; struktura defektów; mechanizm utleniania

EN

CuO; defect structure; mechanism of oxidation

• Czasopismo: Ochrona przed Korozją
• Rocznik: 2009
• Tom: nr 11
• Strony: 529-531
• Opis fizyczny: Bibliogr. 23 poz., il.

Twórcy

autor

Migdalska, M.

autor

Grzesik, Z.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki,

Bibliografia

• 1. P. Kofstad, Nonstoichiometry, Diffusion and Electrical Conductivity in Binary Metal Oxides, J. Wiley, New York (1972).
• 2. N. Birks, G.H. Meier, Introduction to High temperature Oxidation of Metals, Edward Arnold (1983).
• 3. S. Mrowec, A. Stokłosa, K. Godlewski, Cryst. Latt. Def., 5, 239 (1974).
• 4. N.L. Peterson, C.L. Wiley, J. Phys. Chem. Solids, 45, 281 (1984).
• 5. R. Dieckmann, J. Phys. Chem. Solids, 59, 507 (1998).
• 6. Z. Grzesik, M. Migdalska, S. Mrowec, Journal of Physics and Chemistry of Solids, 69, 928 (2008).
• 7. C. Carel, M. Mouallem-Bahout, J. Gaude, Solid State Ionics, 117, 47 (1999).
• 8. M.L. Ettorche, C. Carel, G. Peslerbe, Bull. Soc. Sci. Bretagne, 65, 71 (1994).
• 9. Y.D. Tretyakov, V.F. Komarov, N.A. Prosvirnina and I.B. Kutsenok, J. Solid State Chem., 5, 157 (1972).
• 10. K. Hauffe and P. Kofstad, Z. Electrochemie, 59, 399 (1955).
• 11. J.L. Meijering and M.L. Verheijke, Acta Metall., 7, 331 (1959).
• 12. Y. Zhu, K. Mimura, M. Isshiki, Oxid. Met., 62, 207 (2004).
• 13. B. Balamurugan, B.R. Mehta, D.K. Avasthi, F. Singh, A.K. Arora, M. Rajalakshmi, G. Raghavan, A.K. Tyagi, S.M. Sivaprasad, J. Appl. Phys., 92, 3304 (2002).
• 14. N. Serin, T. Serin, S. Horzum, Y. Celik, Semicond. Sci. Technol., 20, 398 (2005).
• 15. R. Tongpool, C. Leach, R. Freer, J. Mater. Sci. Lett., 19, 119 (2000).
• 16. H. Wang, J. Z. Xu, J. J. Zhu, H.Y. Chen, J. Cryst. Growth, 88, 244 (2002).
• 17. E.R. Kari Brown, K. Choi, Chem. Commun. 3311 (2006).
• 18. W. Wang, Z. Liu, Y. Liu, C. Xu, C. Zheng, G. Wang, Appl. Phys. A 76, 417 (2003).
• 19. M. Migdalska i Z. Grzesik, Ochrona przed Korozją, 11s/A, 129 (2007).
• 20. M. Migdalska, Z. Grzesik, S. Mrowec, Defect and Diffusion Forum, 289-292, 429 (2009).
• 21. F. Kröger, The Chemistry of Imperfect Crystals, North Holland, Amsterdam (1964).
• 22. J. H. Park, K. Natesan, Oxidation of Metals, 3, 5/6 (1993).
• 23. C. Wagner, Atom Movements, ASM Cleveland Ohio, 153 (1951).