Czasopismo
1998
|
T. 26, nr 3-4
|
47-58
Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Warianty tytułu
INGaAs/InP heterostructures made using metalorganic vapor phase epitaxy
Języki publikacji
Abstrakty
Zbadano parametry elektryczne warstw epitaksjalnych i ich zależności od ciśnienia w komorze reakcyjnej oraz temperatury procesu. Wyznaczono minimalną temperaturę, w której możliwe jest otrzymywanie bezdefektowych warstw o bardzo dobrych parametrach elektrycznych. Opanowano w szerokim zakresie technologię domieszkowania krzemem warstw dwuskładnikowych i trójskładnikowych. Zwiększono rozdzielczość kontroli niedopasowania sieciowego warstw InGaAs otrzymywanych na podłożach z fosforku indu domieszkowanego żelazem (InP:Fe). Wykonano dwa typy heterostruktury do elektronowych przyrządów niskoszumowych.
The dependence of epilayers electric parameters on total pressure and reactor temperature was investigated. The minimal temperature, at which very good quality layers - it means without defects, with very satisfying electric parameters - may be obtained was determined as well. The Si doping technology for binary compound and ternary melts was elaborated in a wide range. Lattice mismatch control resolution for InxGa1-x As layers on InP: Fe substrate was improved. Two types of heterostructure for low noise devices were made.
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
47-58
Opis fizyczny
Bibliogr. 13 poz., rys., tab., wykr.
Twórcy
autor
autor
autor
- Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Ul. Wólczyńska 133 01-919 Warszawa
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPB2-0011-0008
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.