Warianty tytułu
DC Electrical properties of implant isolation in GaAs
Języki publikacji
Abstrakty
Zbadano właściwości elektryczne izolacji implantowanej w GaAs, takie jak transport nośników ładunku elektrycznego, stabilność termiczną i wytrzymałość na przebicie elektryczne. Wyjaśniono mechanizm przebicia elektrycznego oraz wpływ podłoża i warstwy buforowej na właściwości materiału. Stabilność termiczna zależy od gęstości defektów wynikającej z dawki bombardujących jonów:. Przedstawiono charakterystyki prądowo-napięciowe (I-U) izolacji o różnych długościach. Z drugiej strony taki sam wpływ długości izolacji na wytrzymałość elektryczną w przypadku półizolującego arsenku galu (SI) GaAs wskazuje na dominujący wpływ podłoża z jego stanami powierzchniowymi na wytrzymałość elektryczną struktur z izolacją implantowaną. Ponieważ podłoże GaAs może obniżać wytrzymałość elektryczną izolacji implantowanej, wymagana jest nie domieszkowana warstwa buforowa. Konieczna grubość bufora zależy od długości izolacji i wymaganego napięcia przebicia.
The electrical properties of implant isolation in GaAs such as electrical carrier transport, thermal stability and electrical breakdown strength are determined. The mechanism of electrical breakdown and influence of a substrate and a buffer layer on material properties are explained. The thermal stability is determined by a defect density as a function of ion bombarding dose.
Słowa kluczowe
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
40-55
Opis fizyczny
Bibliogr. 7 poz., rys., tab., wykr.
Twórcy
autor
- Politechnika Wrocławska Instytut Techniki Mikrosystemów ul. Janiszewskiego 11/17 50-372 Wrocław
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPB2-0010-0034
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.