Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV

• Autorzy: Kozłowski, R. , Kamiński, P.
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przeprowadzono badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych Al. 037Ga 0.16 In047P: Si stanowiących element struktury epitaksjalnej GaAs/AlGalnP/GaAs na podłożach GaAs technologią MOCVD. Szerokość obszaru o maksymalnej koncentracji centrów DX zawiera się w przedziale od 5 do 20 nm. Określoną energię aktywacji centrów DX w tym obszarze, równą 0,48 eV, która jest zgodna z cytowaną w literaturze energią aktywacji tych centrów w warstwach epitaksjalnych otrzymywanych metodą MBE.

EN

The DLTS technique was employed to study deep defect centers in Si doped epitaxial layers of AlO.37Ga0.16In0.47P grown by MOCVD as a part of an epitaxial structure GaAs/AlGalnP/GaAs on GaAs substrates. A The width of this region with the maximum DX center concentration ranges from 5 to 20 nm. By filling the DX centers in the whole region, the activation energy for electron emission was found to be 0.48 eV. However, it is shown for the first time, that the activation energy of the DX center increases with increasing the distance from the GaAs/AL0.37Ga0.16.In0.47P inverted interface.

Słowa kluczowe

PL

epitaksja; MOCVD

EN

epitaxy; MOCVD

• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 1998
• Tom: T. 26, nr 1
• Strony: 7-18
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Kozłowski, R.

autor

Kamiński, P.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa