Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
1999 | Z. 19 | 149-156
Tytuł artykułu

Ab initio calculation of the electron.phonon interaction on semiconductors

Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Warianty tytułu
PL
Ab initio obliczenia oddziaływania elektron-fonon w półprzewodnikach
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
The density-functional approach is used to investigate the electron-phonon matrix element for transition between selected electronic states in silicon.
PL
W ramach teorii funkcjonału gęstości obliczono prawdopodobieństwo przejść elektronów pomiędzy poszczególnymi stanami w pasmie przewodnictwa krzemu. Przejścia te wynikają z oddziaływania elektron - fonon.
Słowa kluczowe
Wydawca

Rocznik
Tom
Strony
149-156
Opis fizyczny
Bibliogr. 13 poz. tab., wykr.
Twórcy
  • Politechnika Białostocka, Katedra Fizyki, ul. Wiejska 45A, 15-351 Białystok
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPB1-0003-0047
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.