Czasopismo
Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Warianty tytułu
Ab initio obliczenia oddziaływania elektron-fonon w półprzewodnikach
Języki publikacji
Abstrakty
The density-functional approach is used to investigate the electron-phonon matrix element for transition between selected electronic states in silicon.
W ramach teorii funkcjonału gęstości obliczono prawdopodobieństwo przejść elektronów pomiędzy poszczególnymi stanami w pasmie przewodnictwa krzemu. Przejścia te wynikają z oddziaływania elektron - fonon.
Słowa kluczowe
Rocznik
Tom
Strony
149-156
Opis fizyczny
Bibliogr. 13 poz. tab., wykr.
Twórcy
autor
- Politechnika Białostocka, Katedra Fizyki, ul. Wiejska 45A, 15-351 Białystok
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPB1-0003-0047